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基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì) TIDA-00961 FAQ

  • 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級(jí)尺寸 65 x 4
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氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中達(dá)到高效率

  • 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都涉及交流/直流電源,這些系統(tǒng)從交流電網(wǎng)獲得能量,并將經(jīng)過妥善調(diào)節(jié)的直流電壓輸送到電氣設(shè)備。隨著全球功耗增加,交流/直流電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能量損耗,成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本考慮的重要部份,特別是高耗電電信和服務(wù)器應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,透過最低 0.8% 的效率增益,采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正(PFC)有助于100 MW數(shù)據(jù)中心在10年內(nèi)節(jié)省多達(dá)700萬美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級(jí)拓
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GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

  • 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會(huì)用到 AC/DC 電源,它從交流電網(wǎng)中獲取電能,并將其轉(zhuǎn)化為調(diào)節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O(shè)備。隨著全球范圍內(nèi)功耗的增加,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換過程中的相關(guān)能源損耗成為電源設(shè)計(jì)人員整體能源成本計(jì)算的重要一環(huán),對(duì)于電信和服務(wù)器等“耗電大戶”領(lǐng)域的設(shè)計(jì)人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),即使效率增益僅為 0.8%,也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數(shù)據(jù)
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安森美半導(dǎo)體推出新一代Totem Pole 功率因數(shù)調(diào)整控制IC NCP1680 應(yīng)用于300W超高效網(wǎng)通電源

  • 行動(dòng)通訊電腦發(fā)展至今已近40年,第五代行動(dòng)通訊技術(shù)(簡(jiǎn)稱5G)是最新一代行動(dòng)通訊技術(shù),5G的效能目標(biāo)是高資料速率、減少延遲、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量和大規(guī)模裝置連接。為因應(yīng)5G基地臺(tái)應(yīng)用普及節(jié)省電源需求,安森美半導(dǎo)體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680設(shè)計(jì)方案,相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%,符合5G通訊訴求之節(jié)省能源,降低成本,提高系統(tǒng)容量之訴求,加上NCP1680快速的負(fù)載暫態(tài)補(bǔ)償響應(yīng),以及高規(guī)格安規(guī)等級(jí)各式保護(hù)功能,特別是具有
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基于安森美PFC圖騰柱控制器NCP1681搭配GaN NCP58921的500W方案

  • 隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,計(jì)算速度的不斷提升,時(shí)鐘頻率和供電電流需要相應(yīng)加快和增大,供電電壓則要求不斷降低。因此低電壓、大電流對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率提出了更高要求。此外,電子產(chǎn)品的小型化、薄型化、輕型化,電源產(chǎn)品的功率密度越來越成為衡量電源產(chǎn)品技術(shù)水平的關(guān)鍵指標(biāo),也促使高效率高功率密度成為客戶選擇電源產(chǎn)品的關(guān)鍵指標(biāo)。在此趨勢(shì)下,可在高頻率工作的GaN越來越多的被采用。安森美半導(dǎo)體提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1681搭配GaN NCP58921方案,相較傳統(tǒng)PFC之
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安森美網(wǎng)上研討會(huì)將探討圖騰柱PFC拓?fù)淙绾钨x能更高能效的電源設(shè)計(jì)

  • 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi),將在大中華區(qū)舉辦普通話網(wǎng)上研討會(huì)直播,闡述公司專用于無橋圖騰柱功率因數(shù)校正 (TP PFC) 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的先進(jìn)混合信號(hào)控制器。該技術(shù)網(wǎng)上研討會(huì)主題為“圖騰柱PFC技術(shù)賦能更高能效的電源?”,將于中國(guó)時(shí)間6月23日上午10:00直播,介紹TP PFC技術(shù)如何不復(fù)雜地提高電源能效。安森美將講述針對(duì)超高密度離線電源的NCP1681。該新的控制器以適用于達(dá)350 W設(shè)計(jì)的 NCP1680的成功為基礎(chǔ),將功率能力擴(kuò)展到千瓦范圍。在過去,TP PFC設(shè)計(jì)需
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圖騰柱 PFC 級(jí)受益于CoolSiC? MOSFET

  • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC) 級(jí)可用于滿足嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn),但使用硅 MOSFET 時(shí)出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的,而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅(SiC)器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進(jìn)的 SiC器件性能參數(shù)。
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