場(chǎng)效應(yīng)晶體管文章進(jìn)入場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)社區(qū)

EPC新推最小型化的40V、1.1m?場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可實(shí)現(xiàn)最高功率密度

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（EPC2066），為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商宜普電源轉(zhuǎn)換公司為業(yè)界提供增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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用場(chǎng)效應(yīng)管做有膽味的功率放大器

摘要：用場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)出有膽味的音頻功率放大器。前級(jí)采用單管、甲類，后級(jí)采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實(shí)驗(yàn)證明差分放大器使用的對(duì)管的一致性與整機(jī)的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看，末級(jí)電流200mA是理想值。前
關(guān)鍵字：甲類場(chǎng)效應(yīng)晶體管對(duì)稱性末級(jí)電流

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)！

　　我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管. 　　1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用技巧

　　我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管. 　　1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)

　　我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.　　1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應(yīng)出來的
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波音和通用實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出GaN CMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

　　由美國(guó)波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室-HRL實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)宣布其實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報(bào)上。　　在此過程中，該實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)確定半導(dǎo)體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。　　氮化鎵晶體管在電源開關(guān)和微波/毫米波應(yīng)用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)！

　　簡(jiǎn)介：我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管. 　　1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在
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美科學(xué)家解開有機(jī)半導(dǎo)體性能之謎

　　據(jù)科學(xué)日?qǐng)?bào)報(bào)道，有機(jī)半導(dǎo)體因發(fā)光二極管(LED)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FETs)和光伏電池而獲獎(jiǎng)，由于它們可以通過溶液打印，它們提供了相對(duì)基于硅設(shè)備的高度可伸縮、成本效益較高的替代方案。然而，性能表現(xiàn)參差不齊有機(jī)半導(dǎo)體是一直存在的問題?？茖W(xué)家們知道性能問題源于有機(jī)半導(dǎo)體薄膜內(nèi)部的界面，但卻一直不清楚背后的原因，這一謎題直到近期才被解決。　　混雜的隨機(jī)排列的納米微晶，后者在溶液澆鑄時(shí)會(huì)被動(dòng)力學(xué)圍困　　美國(guó)能源部(DOE)勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家、美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的娜奧美·金斯
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出專為電信、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用的降壓轉(zhuǎn)換器演示板

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出全功能降壓型功率轉(zhuǎn)換演示電路 -- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V輸入電壓并轉(zhuǎn)至5 V、具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉(zhuǎn)換器。它采用EPC2001 及EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)及LTC3891降壓控制器。這個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)是電信、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用所需的配電解決方案的理想設(shè)計(jì)。　　EPC9118演示板在小型版圖上(1” x 1.3”)包含全功率級(jí)(包括氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管、驅(qū)動(dòng)器、
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東芝推出雙單極步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC

　　采用80V(絕對(duì)最大額定值)高電壓工藝實(shí)現(xiàn)小型封裝東京—東芝公司今天宣布推出適用于步進(jìn)電機(jī)的一款雙單極電機(jī)驅(qū)動(dòng)器芯片(IC)TB67S158。樣品出貨即日啟動(dòng)，而批量生產(chǎn)計(jì)劃于10月啟動(dòng)。　　娛樂游戲機(jī)、家用電器和工業(yè)設(shè)備等產(chǎn)品所需的電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器IC數(shù)量正在日益增加。除此以外，制造商也正被要求縮小其設(shè)備尺寸，以節(jié)省空間，降低能耗。因此，人們?nèi)找嫫谕?qū)動(dòng)器IC能夠在驅(qū)動(dòng)電機(jī)中扮演多重角色。 ? 　　東芝目前的驅(qū)動(dòng)器IC“TB67S149”只能控制一個(gè)
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出符合A4WP規(guī)格的高效無(wú)線電源傳送演示套件

　　由于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN® FET)具備卓越性能例如具低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，它是高度諧振并符合Rezence無(wú)線充電聯(lián)盟(A4WP)規(guī)格的無(wú)線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，可提高系統(tǒng)的效率。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出無(wú)線電源轉(zhuǎn)換演示套件。該套件備有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三個(gè)組件：　　發(fā)射板(或放大器) 　　符合A4WP等級(jí)3規(guī)格的發(fā)射線圈　　符合A4WP類別3規(guī)格、包含線圈的接收板　　該系統(tǒng)可傳送達(dá)35
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葡萄牙成功研制全球首個(gè)紙質(zhì)晶體管

　　葡萄牙新里斯本大學(xué)（New University of Lisbon）的研究人員于日前成功研制了全球首款用紙層制成的晶體管，這種晶體管比采用氧化物半導(dǎo)體制成的普通薄膜晶體管（TFT）更具競(jìng)爭(zhēng)力。　　據(jù)負(fù)責(zé)此項(xiàng)研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，這種新型晶體管具備與采用氧化物半導(dǎo)體制成的薄膜晶體管一樣的性能，紙質(zhì)晶體管可以用在紙質(zhì)顯示屏、智能標(biāo)簽、生物程序和RFID（無(wú)線射頻識(shí)別）電子標(biāo)簽等新型電子設(shè)備中。雖然目前業(yè)界十分看重采用生物高聚物的低成本電子產(chǎn)品
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電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

　　前言：　　在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會(huì)造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會(huì)更加明顯。尤其在電源開機(jī)的霎那間 , 此瞬間電壓會(huì)達(dá)到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當(dāng)于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

　　l 前言　　絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。　　有源電力濾波器設(shè)計(jì)中應(yīng)用4個(gè)IGBT作為開關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅(qū)動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗(yàn)中，根據(jù)補(bǔ)償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP
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東芝發(fā)布最高Ku波段輸出功率的氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管

東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已開發(fā)了用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍的氮化鎵(GaN)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，使該頻率范圍在14.5GHz上實(shí)現(xiàn)了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為止該頻率范圍所能支持的最高性能水平。該新型晶體管主要應(yīng)用于衛(wèi)星微波通信基站，用以傳輸包括高清晰廣播在內(nèi)的大容量信號(hào)。東芝公司計(jì)劃于2007年底供應(yīng)該新型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的樣品，并于2008年3月底進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。 Ku波
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MCU和嵌入式微處理器

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管-基本特點(diǎn) 方型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元 [ 查看詳細(xì) ]

場(chǎng)效應(yīng)晶體管資料下載

泰克電源設(shè)計(jì)及測(cè)試方法
新型垂直溝道的NPN型偶載場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)及特性
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