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場效應晶體管 文章 進入場效應晶體管技術社區(qū)

EPC新推最小型化的40V、1.1m?場效應晶體管,可實現(xiàn)最高功率密度

  • 宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場效應晶體管（EPC2066），為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業(yè)領先供應商宜普電源轉換公司 為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場效應晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場效應晶體管，為客戶提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
  • 關鍵字： 氮化鎵  場效應晶體管  

用場效應管做有膽味的功率放大器

  • 摘要：用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。前
  • 關鍵字： 甲類  場效應晶體管  對稱性  末級電流  

場效應晶體管的幾點使用知識！

  • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管. 　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿 　　由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感
  • 關鍵字： 場效應晶體管  

場效應晶體管的幾點使用技巧

  • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管. 　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿 　　由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感
  • 關鍵字： 場效應晶體管  

場效應晶體管的幾點使用知識

  • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管.　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿　　由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的
  • 關鍵字： 場效應晶體管  MOS  

波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管

  • 　　由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。 　　在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術鋪平了道路。 　　氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
  • 關鍵字： GaN  場效應晶體管  

場效應晶體管的幾點使用知識！

  • 　　簡介：我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管. 　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿 　　由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在
  • 關鍵字： 場效應晶體管  

美科學家解開有機半導體性能之謎

  • 　　據(jù)科學日報報道，有機半導體因發(fā)光二極管(LED)、場效應晶體管(FETs)和光伏電池而獲獎，由于它們可以通過溶液打印，它們提供了相對基于硅設備的高度可伸縮、成本效益較高的替代方案。然而，性能表現(xiàn)參差不齊有機半導體是一直存在的問題?？茖W家們知道性能問題源于有機半導體薄膜內(nèi)部的界面，但卻一直不清楚背后的原因，這一謎題直到近期才被解決。 　　混雜的隨機排列的納米微晶，后者在溶液澆鑄時會被動力學圍困 　　美國能源部(DOE)勞倫斯伯克利國家實驗室的科學家、美國加州大學伯克利分校的娜奧美·金斯
  • 關鍵字： 有機半導體  LED  場效應晶體管  

宜普電源轉換公司（EPC）推出專為電信、工業(yè)及醫(yī)療應用的降壓轉換器演示板

  • 　　宜普電源轉換公司推出全功能降壓型功率轉換演示電路 -- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V輸入電壓并轉至5 V、 具20 A最高輸出電流及400 kHz頻率的降壓轉換器。它采用EPC2001 及EPC2015增強型氮化鎵(eGaN?)場效應晶體管(FET)及LTC3891降壓控制器。這個降壓轉換器設計是電信、工業(yè)及醫(yī)療應用所需的配電解決方案的理想設計。 　　EPC9118演示板在小型版圖上(1” x 1.3”)包含全功率級(包括氮化鎵場效應晶體管、驅動器、
  • 關鍵字： 宜普電源  EPC9118  場效應晶體管  

東芝推出雙單極步進電機驅動器IC

  • 　　采用80V(絕對最大額定值)高電壓工藝實現(xiàn)小型封裝東京—東芝公司今天宣布推出適用于步進電機的一款雙單極電機驅動器芯片(IC)TB67S158。樣品出貨即日啟動，而批量生產(chǎn)計劃于10月啟動。 　　娛樂游戲機、家用電器和工業(yè)設備等產(chǎn)品所需的電機和驅動器IC數(shù)量正在日益增加。除此以外，制造商也正被要求縮小其設備尺寸，以節(jié)省空間，降低能耗。因此，人們?nèi)找嫫谕寗悠鱅C能夠在驅動電機中扮演多重角色。 ? 　　東芝目前的驅動器IC“TB67S149”只能控制一個
  • 關鍵字： 東芝  步進電機  場效應晶體管  

宜普電源轉換公司推出符合A4WP規(guī)格的高效無線電源傳送演示套件

  • 　　由于氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)具備卓越性能例如具低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，它是高度諧振并符合Rezence無線充電聯(lián)盟(A4WP)規(guī)格的無線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，可提高系統(tǒng)的效率。 　　宜普電源轉換公司宣布推出無線電源轉換演示套件。該套件備有40 V(EPC9111)及100 V(EPC9112)器件并包含以下三個組件： 　　發(fā)射板(或放大器) 　　符合A4WP等級3規(guī)格的發(fā)射線圈 　　符合A4WP類別3規(guī)格、包含線圈的接收板 　　該系統(tǒng)可傳送達35
  • 關鍵字： 宜普電源  場效應晶體管  Rezence  

葡萄牙成功研制全球首個紙質晶體管

  • 　　葡萄牙新里斯本大學（New University of Lisbon）的研究人員于日前成功研制了全球首款用紙層制成的晶體管，這種晶體管比采用氧化物半導體制成的普通薄膜晶體管（TFT）更具競爭力。 　　據(jù)負責此項研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，這種新型晶體管具備與采用氧化物半導體制成的薄膜晶體管一樣的性能，紙質晶體管可以用在紙質顯示屏、智能標簽、生物程序和RFID（無線射頻識別）電子標簽等新型電子設備中。雖然目前業(yè)界十分看重采用生物高聚物的低成本電子產(chǎn)品
  • 關鍵字： 晶體管  新里斯本大學  場效應晶體管    

電源應用中場效應晶體管的崩潰效應

  • 　　前言： 　　在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉換器設計中 , 使用場效應晶體管當作切換開關已經(jīng)越來越普遍。在設計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應加諸于場效應晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會更加明顯。尤其在電源開機的霎那間 , 此瞬間電壓會達到最大值。這是由于變壓器一次側電感值相當于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容
  • 關鍵字： 電源  場效應晶體管  SMPS  UIS  崩潰效應  

用于有源電力濾波器的IGBT驅動及保護研究

  • 　　l 前言 　　絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。 　　有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據(jù)補償電流與指令電流的關系，用數(shù)字信號處理器(DSP
  • 關鍵字： IGBT  MOSFET  場效應晶體管  電源  

東芝發(fā)布最高Ku波段輸出功率的氮化鎵功率場效應晶體管

  • 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已開發(fā)了用于Ku波段(12GHz到18GHz)頻率范圍的氮化鎵(GaN)功率場效應晶體管(FET)，使該頻率范圍在14.5GHz上實現(xiàn)了65.4瓦的輸出功率，這也是迄今為止該頻率范圍所能支持的最高性能水平。該新型晶體管主要應用于衛(wèi)星微波通信基站，用以傳輸包括高清晰廣播在內(nèi)的大容量信號。東芝公司計劃于2007年底供應該新型功率場效應晶體管的樣品，并于2008年3月底進行大規(guī)模生產(chǎn)。      Ku波
  • 關鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  東芝  場效應晶體管  MCU和嵌入式微處理器  
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場效應晶體管介紹

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 場效應管-基本特點 方型場效應管 場效應管屬于電壓控制元 [ 查看詳細 ]
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