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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 埃米

探索埃米世代導(dǎo)線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？

  • 自1990年代中期，銅（Cu）一直用于后段制程，作為內(nèi)連導(dǎo)線（interconnect）與通孔（via）的主流金屬材料。這些年來，銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長年不敗的優(yōu)良導(dǎo)電性與可靠度，因此過去認(rèn)為在芯片導(dǎo)線應(yīng)用上無需替換這位常勝軍。但隨著技術(shù)世代演進(jìn)，局部導(dǎo)線層持續(xù)微縮，關(guān)鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下，銅材的電阻會急遽增加，進(jìn)而影響電路的整體性能。銅世代告終？此外，銅材需要阻障層（barrier）、襯墊層（liner）與覆蓋層（cap layer）才能維持良好的可靠度；這些外加
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埃米時代 半導(dǎo)體先進(jìn)工藝藍(lán)圖將更新

  • 　　隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管，他們還必須嘗試更多類型的內(nèi)存;另一方面，14埃米節(jié)點也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了… 　　在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上，Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖，預(yù)計在2025年后將出現(xiàn)新工藝節(jié)點——14埃米(14A;14-angstrom)。這一工藝相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;
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埃米時代不遠(yuǎn)了？Imec擘劃先進(jìn)制程藍(lán)圖

  • 　　隨著半導(dǎo)體發(fā)展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和奈米線或穿隧FET或自旋波電晶體，他們還必須嘗試更多類型的存儲器;另一方面，14埃米節(jié)點也暗示著原子極限不遠(yuǎn)了… 　　在今年的Imec技術(shù)論壇(ITF2017)上，Imec半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖，預(yù)計在2025年后將出現(xiàn)新制程節(jié)點——14埃米(14A;14-angstrom)。這一制程相當(dāng)于從2025年的2nm再微縮0.7倍;此
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