基本半導(dǎo)體文章進(jìn)入基本半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

引言：隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對碳化硅模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求，開發(fā)與碳化硅功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。傳統(tǒng)互連材料的局限傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在功率模塊行業(yè)中活躍多年，但它們各自存在一定短板。例如，錫基焊料耐高溫性能不足，熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率偏低，在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險(xiǎn)，在
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基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線

4月24日，基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線的成功通線，是基本半導(dǎo)體打造國產(chǎn)碳化硅功率器件IDM領(lǐng)先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導(dǎo)體車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目獲得國家工信部的產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項(xiàng)目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設(shè)備，主要產(chǎn)品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產(chǎn)線達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求。項(xiàng)目通過打造垂直整合制造模式，加快設(shè)計(jì)、制造共同迭代
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基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議

日前，深圳基本半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）與全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）在位于日本京都的羅姆總部簽訂車載碳化硅功率器件戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。羅姆董事長松本功（圖左）、基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍?。▓D右）出席簽約儀式此次簽約，雙方將充分發(fā)揮各自的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，就碳化硅功率器件的創(chuàng)新升級、性能提升等方面展開深度合作，開發(fā)出更先進(jìn)、更高效、更可靠的新能源汽車碳化硅解決方案。此外，作為第一批合作成果，融合了雙方技術(shù)的車載功率模塊將提供給多家大型汽車企業(yè)
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第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程

2022年9月20日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資，現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機(jī)構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強(qiáng)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規(guī)模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應(yīng)用，全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持，充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
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第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C1輪融資

9月17日，專注于第三代半導(dǎo)體基本半導(dǎo)體功率器件的深圳基本半導(dǎo)體有限公司完成C1輪融資，由現(xiàn)有股東博世創(chuàng)投、力合金控，以及新股東松禾資本、佳銀基金、中美綠色基金、厚土資本等機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將繼續(xù)用于加速碳化硅功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體正處于快速發(fā)展的黃金賽道?；景雽?dǎo)體經(jīng)過多年深耕，掌握了國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)領(lǐng)域覆蓋碳化硅的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈，先后推出全電流電壓等級的碳化硅肖特基二極管及MOSFET、車規(guī)級碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)
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基本半導(dǎo)體——第三代半導(dǎo)體前景無限

相比于數(shù)字半導(dǎo)體，我國在模擬與功率半導(dǎo)體的差距要更大一些，因?yàn)楣β势骷粌H僅是產(chǎn)品設(shè)計(jì)的問題，還涉及到材料等多個技術(shù)環(huán)節(jié)的突破。其中第三代功率器件也是我們重點(diǎn)迎頭趕上的領(lǐng)域之一。作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)，基本半導(dǎo)體技術(shù)營銷副總監(jiān)劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，核心產(chǎn)品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規(guī)級全碳化硅功率模塊等，基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應(yīng)用領(lǐng)域，市場潛力大，也是基本半導(dǎo)體要重點(diǎn)發(fā)力的市場。站在劉誠的角
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創(chuàng)新引領(lǐng)發(fā)展、合作共贏未來——2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇在深圳成功召開

11月20日，由中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會與深圳市人民政府共同主辦，中國科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會等單位承辦，深圳市科技開發(fā)交流中心、深圳中歐創(chuàng)新中心等單位執(zhí)行，基本半導(dǎo)體等單位協(xié)辦的“2020中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。論壇圍繞第三代半導(dǎo)體行業(yè)的國際合作、市場熱點(diǎn)和技術(shù)前沿話題，邀請中外半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)分享，探討中歐半導(dǎo)體合作發(fā)展新路徑。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會副主席張治平在致辭中表示，深圳市政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，推
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脫穎而出！基本半導(dǎo)體獲頒“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎

近日，第十四屆“中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會”在青島舉辦，現(xiàn)場揭曉了“中國芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果，基本半導(dǎo)體車規(guī)級全碳化硅功率模塊（BMB200120P1）榮獲優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎?！爸袊尽笔菄鴥?nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的最高榮譽(yù)，被譽(yù)為我國集成電路設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)。工業(yè)和信息化部電子信息司司長喬躍山出席活動并發(fā)表致辭基本半導(dǎo)體董事長汪之涵博士（左起第五位）登臺領(lǐng)獎中國集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會現(xiàn)場集成電路產(chǎn)業(yè)是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)?！爸袊尽眱?yōu)秀產(chǎn)品征集活動旨在征集國內(nèi)集成電路領(lǐng)域產(chǎn)品創(chuàng)新、技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用創(chuàng)新成果，打造中國集成
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國產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測試“火”力全開

挑戰(zhàn)驕陽火焰山，何須芭蕉借又還。國產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過樓蘭?！崗V州國創(chuàng)中心副總經(jīng)理8月14日，國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心（簡稱“國創(chuàng)中心”）邀請基本半導(dǎo)體等13家國內(nèi)整車和半導(dǎo)體企業(yè)的專家，實(shí)地開展“中國車規(guī)半導(dǎo)體首批測試驗(yàn)證項(xiàng)目吐魯番高溫試驗(yàn)”活動，并舉行了車規(guī)半導(dǎo)體測試驗(yàn)證項(xiàng)目高溫測試技術(shù)研討會。自2019年7月底開始，國創(chuàng)中心攜搭載了國產(chǎn)自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的4輛試驗(yàn)車，在吐魯番進(jìn)行為期一個月的“極限高溫”
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基本半導(dǎo)體與NetPower達(dá)成戰(zhàn)略合作，優(yōu)質(zhì)代理商火熱招募中!

日前，基本半導(dǎo)體與NetPower簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將共同開發(fā)歐美地區(qū)第三代半導(dǎo)體市場。這是基本半導(dǎo)體繼成立瑞典海外營銷中心后，公司國際化戰(zhàn)略的又一里程碑。根據(jù)合作協(xié)議，NetPower正式成為基本半導(dǎo)體歐美地區(qū)授權(quán)分銷商，為歐洲及北美客戶提供基本半導(dǎo)體全線碳化硅功率器件產(chǎn)品銷售、方案咨詢和售后等相關(guān)服務(wù)。此次戰(zhàn)略合作的達(dá)成，將實(shí)現(xiàn)基本半導(dǎo)體與NetPower的優(yōu)勢互補(bǔ)與資源有效整合，為基本半導(dǎo)體全面實(shí)施國際化經(jīng)營戰(zhàn)略，提升品牌的國際知名度提供有力支撐。NetPower于2000年在美國德克薩斯州成立
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中國深圳創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽第三屆國際賽英國倫敦分站賽圓滿成功

　　深圳市人民政府主辦，深圳市人力資源和社會保障局、深圳市坪山區(qū)人民政府承辦的中國深圳創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽第三屆國際賽英國倫敦分站賽，于英國時間3月22日下午在英國倫敦順利舉行，比賽最終決出今年4月份前往深圳參加全球總決賽的10個晉級項(xiàng)目?！　∩钲谑腥肆Y源和社會保障局黨組成員、局機(jī)關(guān)黨委專職副書記杜斌出席活動并致辭。杜斌表示，深圳是中國改革開放的窗口，是中國最早實(shí)施改革開放、影響最大、建設(shè)最好的經(jīng)濟(jì)特區(qū)，創(chuàng)造了世界工業(yè)化、城市化、現(xiàn)代化發(fā)展的奇跡。近年來，深圳堅(jiān)定實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，構(gòu)建“基礎(chǔ)研究+技術(shù)攻關(guān)+
關(guān)鍵字：基本半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽第三屆國際賽英國倫敦分站賽

基本半導(dǎo)體參加全國政協(xié)副主席萬鋼調(diào)研活動

　　近日，全國政協(xié)副主席、致公黨中央主席、中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會主席萬鋼一行蒞臨深圳第三代半導(dǎo)體研究院調(diào)研。研究院院長趙玉海、副理事長吳玲等陪同調(diào)研?；景雽?dǎo)體作為深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起共建單位受邀參加調(diào)研活動?！　∪f鋼主席一行在趙玉海院長陪同下詳細(xì)了解了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況，并參觀了研究院碳化硅襯底、外延、器件、封裝，硅基GaN外延，新能源汽車變換器等實(shí)物展品?！　』景雽?dǎo)體董事長汪之涵博士、副總經(jīng)理張振中博士和高級顧問高躍博士向萬鋼一行匯報(bào)了基本半導(dǎo)體在碳化硅功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新成果，介紹了自主研發(fā)
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重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議

　　11月4-7日，由中國電源學(xué)會與IEEE電力電子學(xué)會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?；景雽?dǎo)體作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！　∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學(xué)會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

　　10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行。基本半導(dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！　≈袊娮诱故请娮有袠I(yè)的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會。　
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基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會

　　11月5日，在第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體，參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會?！　〕鱿瘯h的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導(dǎo)體介紹

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