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LED外延片成長(zhǎng)工藝的解決方案

  • 今天來(lái)探討LED外延片的成長(zhǎng)工藝，早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6?的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI，每一個(gè)8?的外延片上也只能完成一兩百個(gè)大型芯片。外延片的制造雖動(dòng)？投資數(shù)百億，但卻是所
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LED外延片基礎(chǔ)知識(shí)

  • 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下來(lái)就用激
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LED的外延片生長(zhǎng)技術(shù)介紹

  • 外延片技術(shù)與設(shè)備是外延片制造技術(shù)的關(guān)鍵所在，金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積(Metal-OrganicChemicalVaporDepos...
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LED外延片(外延)的成長(zhǎng)工藝

  • 今天來(lái)探討LED外延片的成長(zhǎng)工藝，早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6吋的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片，現(xiàn)在次微米線寬...
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LED外延片生長(zhǎng)基本原理

  • LED外延片生長(zhǎng)基本原理LED外延片生長(zhǎng)的基本原理是，在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有紅寶石和SiC兩種）上...
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LED用外延片知識(shí)介紹

  • 外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品...
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MOCVD生長(zhǎng)GaN基藍(lán)光LED外延片的研究

中韓多晶硅價(jià)格走軟 新產(chǎn)能釋放在即

  • 　　根據(jù)Energy Trend的調(diào)查，多晶硅現(xiàn)貨價(jià)格走勢(shì)出現(xiàn)明顯的修正。本週多晶硅價(jià)格出現(xiàn)下滑，但相關(guān)廠商的報(bào)價(jià)仍力守在$50/kg的關(guān)卡，主要成交價(jià)仍落在$51/kg~$53/kg之間，平均成交價(jià)來(lái)到$52.55/kg，繼上週價(jià)格下跌后，本週跌幅持續(xù)擴(kuò)大至2.92%。
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LED外延片襯底材料小常識(shí)

  • 襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長(zhǎng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝...
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LED外延片的生長(zhǎng)工藝介紹

  • 早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6吋的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI,每一個(gè)8吋的外...
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LED外延片技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)及LED外延片工藝

  • 從led工作原理可知，外延片材料是LED的核心部分，事實(shí)上，LED的波長(zhǎng)、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于...
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晶電隆達(dá)2011年計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)4寸外延片產(chǎn)能

  • 　　為提高生產(chǎn)效率，晶電，隆達(dá)均計(jì)劃于2011年擴(kuò)展4寸外延片產(chǎn)能。據(jù)悉，晶電在2010年增購(gòu)MOCVD機(jī)臺(tái)時(shí)，就已經(jīng)導(dǎo)入部份4寸機(jī)臺(tái)。預(yù)計(jì)，晶電2011年30%的產(chǎn)能將可望產(chǎn)生自4寸機(jī)臺(tái)。
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江蘇省半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟大會(huì)在揚(yáng)召開(kāi)

  • 　　江蘇省半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟大會(huì)在揚(yáng)州“智谷”召開(kāi)，來(lái)自全省各個(gè)城市的61家企業(yè)和科研院所結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟，共同致力于LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)和轉(zhuǎn)化應(yīng)用。 　　揚(yáng)州是國(guó)家科技部認(rèn)定的“國(guó)家半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)化基地”，也是國(guó)家首批“十城萬(wàn)盞”試點(diǎn)城市。通過(guò)培育產(chǎn)業(yè)鏈，集聚了中科半導(dǎo)體、川奇光電、尚揚(yáng)電子、東貝光電、峻茂光電、隆耀光電、璨揚(yáng)光電等30多家從事LED生產(chǎn)開(kāi)發(fā)的核心企業(yè)，形成了“襯底材料—外延片&
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只有技術(shù)進(jìn)步才能帶動(dòng)市場(chǎng)升級(jí)

  • 　　實(shí)際照明燈具的輸出光通量通常在上千流明至數(shù)萬(wàn)流明，而目前單顆高端功率 型白光LED 的光通量?jī)H在100流明左右，因此半導(dǎo)體照明燈具通常由數(shù)十至上百個(gè)集群白光LED組成。以目前的LED 性能而論，低壓、恒流驅(qū)動(dòng)的集群LED的使用造成半導(dǎo)體照明燈具必須解決巨大熱量的耗散和由交流市電向低壓恒流轉(zhuǎn)換而引起的電源管理問(wèn)題。另外，傳統(tǒng)封裝的功率型LED的小光通、高亮度的發(fā)光特性會(huì)造成非常嚴(yán)重的眩光。所以，半導(dǎo)體照明技術(shù)不僅限于芯片的制作和封裝技術(shù)，而是一個(gè)包含了光學(xué)設(shè)計(jì)、熱量和電源管理等在內(nèi)的系統(tǒng)級(jí)技術(shù)。 　　
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國(guó)內(nèi)LED市場(chǎng)擴(kuò)張力度不減 產(chǎn)值一路揚(yáng)帆

  • 　　自2003年「國(guó)家半導(dǎo)體照明 工程」領(lǐng)導(dǎo)小組成立，國(guó)家半導(dǎo)體照明工程就此啟動(dòng)。2009年大陸續(xù)提出「十城萬(wàn)盞 」計(jì)劃，推動(dòng)LED路燈示范照明;而于2009年出爐的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》中，也將半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)列為重點(diǎn)發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 　　地方政府對(duì)LED產(chǎn)業(yè)的扶持亦不遺余力，目前，大陸LED產(chǎn)業(yè)已形成珠三角、長(zhǎng)三角、北方地區(qū)、江西及福建地區(qū)4大半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)聚落，近年來(lái)科技部亦先后批準(zhǔn)設(shè)立廈門、上海、大連、南昌、深圳、揚(yáng)州等7個(gè)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程產(chǎn)業(yè)化基地，此外，大陸華東及內(nèi)陸地區(qū)新建LED項(xiàng)目亦不
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外延片介紹

　　外延片是指用外延工藝在襯底表面生長(zhǎng)薄膜所生片的單晶硅片。一般外延層厚度為2-20微米，作為襯底的單晶硅片厚度為610微米左右。 　　外延工藝：外延生長(zhǎng)技術(shù)發(fā)展于20世紀(jì)50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長(zhǎng)外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應(yīng)爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進(jìn)石英反應(yīng)器中， [ 查看詳細(xì) ]

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