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信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助

  • 第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應(yīng)樣品。圖片來源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現(xiàn)有的Si生產(chǎn)線來生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長的大直徑基板，因此無法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數(shù)，可實(shí)現(xiàn)大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長，并抑制SEMI標(biāo)準(zhǔn)厚度的QS
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外延生長介紹

外延生長　　外延生長【epitaxial growth】【】 在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層的方法。外延生長技術(shù)發(fā)展于20世紀(jì)50年代末60年代初，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯(lián)電阻。生長外延層有多種方法，但采用最多的是氣相外延工藝，常使用高頻感應(yīng)爐加熱，襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體上，然后放進(jìn)石英反應(yīng)器中，也可采用紅外輻 [ 查看詳細(xì) ]

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