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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 天線效應(yīng)

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
  • 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì)  天線  天線效應(yīng)  充電損害  MOS  

如何在集成電路中減少天線效應(yīng)

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  天線效應(yīng)  等離子  充電損傷  跳線法  
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天線效應(yīng)介紹

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