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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 失效分析

可靠性失效分析常見(jiàn)思路（一）

  • 失效分析在生產(chǎn)建設(shè)中極其重要,失效分析的限期往往要求很短,分析結(jié)論要正確無(wú)誤,改進(jìn)措施要切實(shí)可行。　　 ...
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IC故障診斷及失效分析:發(fā)現(xiàn)事實(shí)避免臆測(cè)

  • 摘要：對(duì)一個(gè)復(fù)雜的設(shè)備進(jìn)行故障診斷的時(shí)候，知識(shí)儲(chǔ)備是最重要的。我們想要的并且需要去了解相關(guān)的一些問(wèn)題。它 ...
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線路板的失效分析

  • 你是否長(zhǎng)時(shí)間糾纏于線路板的失效分析?你是否花費(fèi)大量精力在樣板調(diào)試過(guò)程中?你是否懷疑過(guò)自己的原本正確的設(shè) ...
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對(duì)使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

  • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價(jià)格又便宜，正在被越來(lái)越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對(duì)銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  

某光電裝備電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路失效分析

  • 摘要：驅(qū)動(dòng)電路的性能很大程度上影響整個(gè)系統(tǒng)的工作性能。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中主要考慮功能和性能等方面的因素。本文首先介紹了某平臺(tái)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，然后就實(shí)際工作及實(shí)驗(yàn)中驅(qū)動(dòng)電路出現(xiàn)的失效信息作以分析，對(duì)問(wèn)題進(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動(dòng)電路  失效分析  H橋  PWM  

抗輻射晶體管3DK9DRH的貯存失效分析

  • 為了找到并糾正抗輻射晶體管3DK9DRH貯存失效的原因，利用外部檢查、電性能測(cè)試、檢漏、內(nèi)部水汽檢測(cè)、開封檢查等試驗(yàn)完成了對(duì)晶體管3DK9DRH的一種貯存失效分析。結(jié)果表明晶體管存在工藝問(wèn)題，內(nèi)部未進(jìn)行水汽控制，加上內(nèi)部硫元素過(guò)高，長(zhǎng)期貯存后內(nèi)部發(fā)生了氧化腐蝕反應(yīng)，從而導(dǎo)致晶體管功能失效。對(duì)此建議廠家對(duì)晶體管的生產(chǎn)工藝進(jìn)行檢查，對(duì)水汽和污染物如硫元素等加以控制，及時(shí)剔除有缺陷的晶體管。
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熱阻測(cè)試原理與失效分析

  • 文中通過(guò)熱阻的測(cè)試原理分析和實(shí)際案例，分別從熱阻測(cè)試條件、控制限、上芯空洞、傾斜、芯片內(nèi)阻等幾個(gè)方面，全面地闡述對(duì)熱阻測(cè)試結(jié)果的影響，并通過(guò)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)形成圖表，較為直觀明了，總結(jié)出熱阻測(cè)試失效的各種可能原因。
  • 關(guān)鍵字： 熱阻測(cè)試  原理  失效分析    
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