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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 存儲(chǔ)器技術(shù)

工程師分享：適用于智能電池的微控制器存儲(chǔ)器技術(shù)

  • 大多數(shù)智能電池都要用到微控制器(MCU)。MCU的體系結(jié)構(gòu)不但會(huì)影響電池本身的性能,甚至?xí)g接影響到電池供電...
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TI將嵌入式FRAM作為新非易失存儲(chǔ)器技術(shù)

  • 德州儀器公司 (TI) 已在標(biāo)準(zhǔn) CMOS 邏輯工藝中生產(chǎn)出64兆位鐵電存儲(chǔ)器 (FRAM) 芯片，從而將該技術(shù)在各種應(yīng)用領(lǐng)域中確定為嵌入式閃存及嵌入式 DRAM 的經(jīng)濟(jì)高效型替代技術(shù)。與處理器、外設(shè)及其它器件一樣，在同一芯片上嵌入內(nèi)存不僅會(huì)降低系統(tǒng)芯片數(shù)目及復(fù)雜性，而且還能夠提高系統(tǒng)性能與數(shù)據(jù)的安全性。為了降低制造成本、實(shí)現(xiàn)超低功耗，TI 在眾多的嵌入式內(nèi)存中選擇了 FRAM。TI 生產(chǎn)的64兆位 FRAM 器件還擁有迄今為止業(yè)界最小的 FRAM 單元，僅為 0.54um2。 FRAM 所具有的
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存儲(chǔ)器技術(shù)介紹

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