存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

一種新型非易失性存儲器的原理及應用

縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流，其中EEPROM的供應廠家很多，其中以ATMEL，ST等廠家占主導地
關(guān)鍵字：非易失性存儲器緊急數(shù)據(jù)

串并口F-RAMW系列存儲器

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器，W系列器件帶有串口I2C
關(guān)鍵字： F-RAM 存儲器 Ramtron FM24W256

為高性能FPGA平臺選擇最佳存儲器

在演算法交易領(lǐng)域的最新進展是導入一些更低延遲的解決方案，其中最佳的方式是使用FPGA搭建的客制硬體。這些FPGA硬體可說是硬編碼ASIC的極致性能和CP
關(guān)鍵字：高性能 FPGA 平臺存儲器

存儲器價格飆升 DRAM廠營運旺

DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場格局確立，加上各大DRAM供應商按照原先規(guī)劃減少標準型存儲器部位影響下，主流模塊4GB均價在第2季上揚16%，由23.5
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM 三星

意法半導體和Memoir Systems整合突破性的存儲器技

這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設計更簡單中國，2013年11月20日 ——橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導
關(guān)鍵字：意法半導體 Memoir Systems 存儲器制造

Xilinx擴展產(chǎn)品路線圖為數(shù)據(jù)中心新增加速強化技術(shù)

全可編程技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布擴展其16nm UltraScale+™ 產(chǎn)品路線圖，面向數(shù)據(jù)中心新增加速強化技術(shù)
關(guān)鍵字：處理器存儲器計算

賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM#8482;存儲器簡化嵌入式

嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票交易代
關(guān)鍵字：存儲器分辨率控制器

提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法

行業(yè)專家認為，對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言，其50億美元成本的80%左右會用在設備的機械和電子基礎設施上。對于數(shù)據(jù)中心服務器，高功率密度的
關(guān)鍵字：存儲器子系統(tǒng)效率 DRAM

非揮發(fā)性存儲器改寫產(chǎn)業(yè)合作模式

　　標準和規(guī)格一直是確保記憶體正常運作于更廣泛系統(tǒng)中的關(guān)鍵，但隨著技術(shù)進展以及記憶體與儲存產(chǎn)業(yè)開始整并，改變了供應商及其客戶之間的合作關(guān)系... 　　美光科技(Micron Technology)在今年初于德州奧斯汀成立美光儲存解決方案中心(Micron Storage Solutions Center：MSSC)，一部份的原因就來自于這種新合作模式的帶動。美光科技儲存軟體工程副總裁Steve Moyer指出，其引爆點就是業(yè)界開始轉(zhuǎn)型至非揮發(fā)性記憶體技術(shù)以及快閃記憶體成為新興的儲存技術(shù)。　　&ldq
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存儲器需求動能強勁，第四季DRAM合約價有望再漲逾一成

　　受到第三季進入旺季需求帶動，存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續(xù)強勁成長態(tài)勢與服務器需求增溫帶動下，DRAM與NAND Flash第四季價格預計將同步上揚，特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。　　供應持續(xù)吃緊，DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài) 　　由于今年中國品牌智能手機表現(xiàn)超乎預期，服務器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫，下半年臺系服務器代工廠
關(guān)鍵字：存儲器 DRAM

英特爾因應深度學習需求　對Xeon Phi進行調(diào)整

　　軟、硬件共同設計趨勢正在席卷整個IT部門，不論是資料分析或是機器學習，每種工作項目的分工都將更為精細，硬件廠商也開始針對軟體設計新的產(chǎn)品。為了維系資料中心的市場霸主地位，英特爾(Intel)瞄準機器學習的特殊需求，將推出代號為 Knights Mill的多核心處理器。　　據(jù)The Next Platform報導，英特爾現(xiàn)有的Knights Landing Xeon Phi芯片可提供雙精度(Double Precision)3.46 teraflop及單精度(Single Precision)6.
關(guān)鍵字：英特爾存儲器

IDC:Q2全球手機制造廠排行,零部件缺貨導致再洗牌

　　IDC昨天公布，2016年第2季由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺，全球智能手機產(chǎn)業(yè)制造量較首季僅成長4.8%。且因關(guān)鍵零組件短缺，造成排名的洗牌效應。　　IDC全球硬件組裝研究團隊研究經(jīng)理高鴻翔指出，在蘋果、索尼、微軟等國際大廠出貨量滑落影響下，2016年第2季全球智能手機組裝產(chǎn)業(yè)競爭，呈現(xiàn)大陸廠商比重持續(xù)提升(44.1%上升至46.4%)、臺灣廠商比重滑落(23.4%跌至19.7%)的態(tài)勢。　　由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺，形成歐、美、日與大陸一線廠商以原
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東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨

　　東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器，采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術(shù)，實現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進步印證了東芝專有架構(gòu)的潛力。東芝將不斷精進BiCS FLASHTM制造工藝，其發(fā)展藍圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。　　這款新型存儲器沿襲48層BiC
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美大學突破相變化存儲器技術(shù)　速度較DRAM快逾千倍

　　在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進程中，全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣，并投入大量時間從事研發(fā)，最新則是美國史丹佛大學(Stanford University)的研究做出了新突破，據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。　　據(jù)Techspot網(wǎng)站報導，所謂的相變化存儲器運作原理，是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進行移動，雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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清華控股徐井宏：走向制造強國須靠扎實創(chuàng)新

　　略有變化，卻并不意外。隨著2016中國企業(yè)500強榜單的發(fā)布，人們看到，國家電網(wǎng)以20713.49億元的營業(yè)收入首次排名中國企業(yè)500強榜首，中國石油(7.420, 0.02, 0.27%)、中國石化(4.950, 0.00, 0.00%)、工商銀行(4.490, -0.01, -0.22%)等緊隨其后。　　“剛才我們也在討論，中國500強越來越大，每年中國進入世界500強的企業(yè)在增加，但是大部分是央企，是資源壟斷型、市場壟斷型企業(yè)，我們真正擁有自己關(guān)鍵技術(shù)的企業(yè)寥寥無幾，像華為這
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]