安全工作區(qū) 文章 進入安全工作區(qū)技術(shù)社區(qū)
功率MOSFET安全工作區(qū),真的安全嗎?

- 本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義,詳細(xì)說明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計算的安全工作區(qū)不能作為實際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長的時間工作在線性區(qū)的應(yīng)用中,必須采用實測的安全工作區(qū)理由。
- 關(guān)鍵字: 功率MOSFET 安全工作區(qū) 線性區(qū) 熱電效應(yīng) 201903
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
- 摘要:本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。 關(guān)鍵詞:安全工作區(qū) 失效機理 短路電流Tsc 1、 引言 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)(Safe Operating Area簡稱SOA)使用引起的。因此全面了解SOA,并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極—發(fā)射極電
- 關(guān)鍵字: 安全工作區(qū) 失效機理 短路電流Tsc 電源
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安全工作區(qū)介紹
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