宏力半導(dǎo)體文章進(jìn)入宏力半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

宏力半導(dǎo)體采用ARM物理IP

宏力半導(dǎo)體采用ARM Artisan?物理IP擴(kuò)展其0.18微米和0.13微米流水線。該協(xié)議使ARM全球用戶可以通過ARM網(wǎng)站免費(fèi)獲得基于宏力技術(shù)的物理IP。
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宏力半導(dǎo)體系列嵌入式閃存工藝全線量產(chǎn)

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.18微米以下嵌入式閃存產(chǎn)品已突破100,000 片8英寸晶圓。　　目前，宏力半導(dǎo)體擁有0.25/ 0.18/ 0.13微米一系列嵌入式閃存技術(shù)平臺(tái)，均已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2005年，0.25微米嵌入式閃存工藝投產(chǎn)，應(yīng)用于國(guó)外知名企業(yè)的汽車引擎控制和安全氣囊芯片，已出貨1400萬顆，至今仍保持現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用零退貨的記錄。　　2007年，宏力半導(dǎo)體0.18微米嵌入式閃存產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)，成功實(shí)現(xiàn)了當(dāng)時(shí)業(yè)界最小的單
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宏力半導(dǎo)體成功開發(fā)MCU代工技術(shù)

　　專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造一直是宏力半導(dǎo)體的公司戰(zhàn)略方向。近日宏力宣布其專為微控制器(MCU)開發(fā)的涵蓋高端及低端應(yīng)用平臺(tái)的工藝制程均已經(jīng)成功量產(chǎn)，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式閃存)以及EEPROM制程平臺(tái)。　　
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宏力半導(dǎo)體0.18微米低本高效OTP制程成功量產(chǎn)

　　上海宏力半導(dǎo)體2日宣布其代工的0.18微米低本高效OTP制程的首個(gè)產(chǎn)品已經(jīng)成功量產(chǎn)。該OTP 制程結(jié)合了力旺電子的綠能OTP解決方案和宏力半導(dǎo)體自身的0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，在使用較少光罩層數(shù)的同時(shí)，創(chuàng)造了業(yè)內(nèi)OTP最小單元尺寸(cell size)的記錄。　　
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南通綠山8英寸項(xiàng)目倒下

　　掙扎4年之久，中國(guó)首個(gè)落戶縣級(jí)城市海安縣的8英寸半導(dǎo)體制造項(xiàng)目——江蘇南通綠山集成電路有限公司(下稱“南通綠山”)，最終還是沒能撐下去。　　《第一財(cái)經(jīng)日?qǐng)?bào)》記者在江蘇省產(chǎn)權(quán)交易所官網(wǎng)看到，南通眾和產(chǎn)權(quán)交易所發(fā)布一則資產(chǎn)轉(zhuǎn)讓信息，即《關(guān)于公開征集南通綠山集成電路有限公司100%股權(quán)意向受讓人的公告》，掛牌價(jià)1.04億元。掛牌周期為1月14日至2月16日?！　?/li>
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首個(gè)0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國(guó)內(nèi)首個(gè)適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。　
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宏力半導(dǎo)體亮相IC China 2010

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，10月21-23日參加了在蘇州國(guó)際博覽中心舉行的，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的第八屆中國(guó)國(guó)際集成電路博覽會(huì)。　　
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宏力半導(dǎo)體0.13微米嵌入式閃存成功量產(chǎn)

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，宣布其代工的0.13微米嵌入式閃存首個(gè)產(chǎn)品已成功進(jìn)入量產(chǎn)階段。　　宏力半導(dǎo)體的0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其基于SST SuperFlash®(1)上已經(jīng)量產(chǎn)的自對(duì)準(zhǔn)分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。閃存單元尺寸只有0.38平方微米，是目前0.13微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上最小的單元尺寸，其卓越的性能還能支持最大到16Mbit的SoC設(shè)計(jì)，在業(yè)內(nèi)十分具有競(jìng)爭(zhēng)力。　　這一最小的單元同時(shí)還滿足了編程效率
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米鋁制程邏輯及混合信號(hào)工藝

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)近日發(fā)布其低本高效的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號(hào)工藝。　　與0.18微米技術(shù)節(jié)點(diǎn)相比，0.13微米可以將芯片尺寸最多縮小50%并使其提供更快的速度。宏力半導(dǎo)體的0.13微米鋁制程邏輯及混合信號(hào)工藝可以提供通用和低壓制程兩個(gè)選擇。通用制程的核心邏輯電壓是1.2伏，而低壓制程則為1.5伏。該制程可以支持最多7層金屬層，同時(shí)提供MIM, HRP 和 DNW等支持混合信號(hào)設(shè)計(jì)，并提供不同性能的器件，客戶可以進(jìn)行更優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)。　　與0.13微米銅制程相比
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擴(kuò)產(chǎn)? 大陸晶圓廠：沒錢

　　歷經(jīng)去年金融海嘯所帶來的經(jīng)濟(jì)低潮，當(dāng)前隨著全球景氣回溫，半導(dǎo)體業(yè)也逐步復(fù)蘇，中國(guó)大陸的晶圓大廠產(chǎn)能基本滿載。不過基于新廠投資額相當(dāng)大，在經(jīng)濟(jì)形勢(shì)尚不明朗之前，各家廠商的擴(kuò)張動(dòng)作顯得謹(jǐn)慎。　　路透報(bào)導(dǎo)，中國(guó)大陸幾家大型晶圓代工廠商：中芯國(guó)際、宏力半導(dǎo)體，以及英特爾中國(guó)封測(cè)廠，目前產(chǎn)能都是處于滿載或是接近滿載的狀態(tài)，公司人士對(duì)于今年形勢(shì)亦較為樂觀。　　報(bào)導(dǎo)稱，中芯國(guó)際董事長(zhǎng)兼中國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)江上舟說：「現(xiàn)在大家產(chǎn)能都飽滿的很，中芯也是飽滿，大家產(chǎn)能都不夠…，海外和內(nèi)地訂單都有?！?/li>
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宏力去年9月起已實(shí)現(xiàn)盈利料今年?duì)I收增長(zhǎng)近六成

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司周二表示,去年9月起公司已實(shí)現(xiàn)盈利,預(yù)計(jì)今年?duì)I收將達(dá)3億美元,較去年增長(zhǎng)近六成。　　宏力半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼總裁舒馬赫在出席一行業(yè)會(huì)議間隙對(duì)路透表示,"自去年9月起,我們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)。" 　　因高昂的折舊及半導(dǎo)體業(yè)的周期變化,國(guó)內(nèi)最大的半導(dǎo)體代工廠中芯國(guó)際已經(jīng)14個(gè)季度連續(xù)虧損。去年第四季,公司虧損為 4.823億美元,較第三季度的6,935萬美元大幅增加,主要因與臺(tái)積電的訴訟和解涉及的相關(guān)費(fèi)用及長(zhǎng)期資產(chǎn)減值相關(guān)費(fèi)用所拖累。　　自2003年開始投
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12英寸集成電路生產(chǎn)線今年底試投產(chǎn)

　　1月19日，“909工程升級(jí)改造———12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目”啟動(dòng)儀式在上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司舉行。中共中央政治局委員、上海市委書記俞正聲與全國(guó)政協(xié)原副主席胡啟立共同啟動(dòng)了項(xiàng)目啟動(dòng)裝置，上海市委副書記、市長(zhǎng)韓正與國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)副主任張曉強(qiáng)、工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)婁勤儉、科技部副部長(zhǎng)曹健林共同為上海華力微電子有限公司揭牌。　　中國(guó)科學(xué)院副院長(zhǎng)江綿恒，上海市委常委、常務(wù)副市長(zhǎng)楊雄出席項(xiàng)目啟動(dòng)儀式，并分別代表中國(guó)科學(xué)院和上海市委、市
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進(jìn)的0.18微米45V LDMOS電源管理制程

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布基于其穩(wěn)定的0.18微米邏輯平臺(tái)的先進(jìn)45V LDMOS電源管理制程。　　與傳統(tǒng)線寬相比，0.18微米邏輯平臺(tái)使得更高集成度的數(shù)字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智能電源。宏力半導(dǎo)體成熟的0.18微米邏輯制程配備了具有高精準(zhǔn)模型的完整設(shè)計(jì)工具包，極大地縮短了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期，加速客戶產(chǎn)品的投產(chǎn)。此外，該0.18微米邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺(tái)供客戶選擇。　　通過優(yōu)化器件的布局、注入和熱
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宏力與國(guó)內(nèi)多家集成電路設(shè)計(jì)孵化基地達(dá)成合作協(xié)議

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日與中國(guó)科學(xué)院EDA中心、上海、西安及深圳等多個(gè)集成電路設(shè)計(jì)孵化基地相繼簽署了多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目的戰(zhàn)略合作協(xié)議。　　多項(xiàng)目晶圓 (Multi Project Wafer，簡(jiǎn)稱MPW) 就是將多個(gè)具有相似工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一晶圓片上流片，而費(fèi)用按照芯片面積分?jǐn)?，極大地降低了降低中小集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)研發(fā)階段的成本和門檻。目前宏力半導(dǎo)體的MPW項(xiàng)目可提供0.15μm/0.18μm Logic、Embedded Fl
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宏力半導(dǎo)體閃耀亮相IC China 2009

　　上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(宏力半導(dǎo)體)，中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，繼9月初在上?？偛颗e辦了首屆技術(shù)論壇之后，10月22-24日參加了在蘇州國(guó)際博覽中心舉行的，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的第七屆中國(guó)國(guó)際集成電路博覽會(huì)暨高峰論壇。　　在本屆展覽會(huì)上，宏力半導(dǎo)體的展臺(tái)位于主入口的顯著位置，精心搭建的展臺(tái)在整個(gè)展覽會(huì)中顯得卓爾不群，并獲得了創(chuàng)意展臺(tái)設(shè)計(jì)大獎(jiǎng)。　　宏力半導(dǎo)體在現(xiàn)場(chǎng)展示了差異化科技，包括邏輯、存儲(chǔ)和電源管理技術(shù)的增值解決方案和客戶定制服務(wù)。除了2009-2010年度的科技藍(lán)圖，眾多觀眾
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宏力半導(dǎo)體介紹

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司是一家從事半導(dǎo)體制造的專業(yè)代工企業(yè)，坐落于上海市浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，占地面積24萬平方米。宏力于2003年9月23日正式開業(yè)，一期項(xiàng)目總投資為16.3億美元，目前已建成兩座12英寸規(guī)格的廠房，其中一廠目前月生產(chǎn)能力可達(dá)三萬片八英寸硅片。　　1995年，王永慶長(zhǎng)子王文洋與臺(tái)灣大學(xué)研究生呂安妮陷入熱戀，他對(duì)兒子的婚外情極不諒解，力勸兩人分手，但兒子執(zhí)意不聽，一怒之下，他 [ 查看詳細(xì) ]

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