首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 寬帶隙

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應(yīng)用

  • 碳化硅場效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應(yīng)用的理想之選。
  • 關(guān)鍵字： 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體: 切實可靠的節(jié)能降耗解決方案

  • 減少能源轉(zhuǎn)換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體是一個切實可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統(tǒng)方式減少碳足跡來減輕技術(shù)對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、 750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設(shè)計人員開發(fā)續(xù)航里程更長的電動汽車動力總成系統(tǒng)。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統(tǒng)設(shè)計，更小更輕的電子設(shè)備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠。意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)?Fil
  • 關(guān)鍵字： 202207  寬帶隙  WBG  意法半導(dǎo)體  

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體：切實可靠的節(jié)能降耗解決方案

  • 受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　意法半導(dǎo)體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術(shù)改良研發(fā)活動取得的新進展，是為了更好地滿足電動汽車廠商在用碳化硅設(shè)計的動力電機逆變器、車載充電機和DC-DC轉(zhuǎn)換器時的嚴格要求。在高端工業(yè)領(lǐng)域，我們的第三代碳
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  寬帶隙  WBG  

英飛凌與臺達雙強連手：以寬帶隙技術(shù)搶攻高端服務(wù)器及電競電源市場

  • 數(shù)字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術(shù)特性，能夠助力電源產(chǎn)品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創(chuàng)新的半導(dǎo)體和電力電子領(lǐng)域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產(chǎn)品上的應(yīng)用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  寬帶隙  電源  
共4條 1/1 1

寬帶隙介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條寬帶隙!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對寬帶隙的理解，并與今后在此搜索寬帶隙的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473