碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
減少能源轉換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個切實可靠的節(jié)能降耗解決方案，可以通過系統方式減少碳足跡來減輕技術對環(huán)境的影響。例如，我們最新的 650 V、
750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設計人員開發(fā)續(xù)航里程更長的電動汽車動力總成系統。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統設計，更小更輕的電子設備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠。意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)?Fil
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202207 寬帶隙 WBG 意法半導體
受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 意法半導體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術改良研發(fā)活動取得的新進展，是為了更好地滿足電動汽車廠商在用碳化硅設計的動力電機逆變器、車載充電機和DC-DC轉換器時的嚴格要求。在高端工業(yè)領域，我們的第三代碳
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意法半導體 寬帶隙 WBG
數字化、低碳化等全球大趨勢推升了采用寬帶隙 (WBG)器件碳化硅/氮化鎵 (SiC/GaN) 器件的需求。這類器件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優(yōu)化性能和能源效率。英飛凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 與臺達電子工業(yè)股份有限公司 (TWSE: 2308) 兩家全球電子大廠，長期致力于創(chuàng)新的半導體和電力電子領域，今日宣布深化其合作，強化寬帶隙SiC及GaN器件在高端電源產品上的應用，為終端客戶提供出色的解決方案。??600 V CoolGaN HSOF
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英飛凌 寬帶隙 電源
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