首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 寄生電容

理解D類(lèi)放大器的非理想性:無(wú)功負(fù)載和寄生電容

  • 在本文中,我們將了解D類(lèi)功率放大器的兩個(gè)重要非理想性以及它們?nèi)绾斡绊懶阅?。正如我們從之前的文章中所知,?shí)際D類(lèi)放大器的開(kāi)關(guān)頻率并不總是與其諧振頻率相匹配。這種失配可能是由于組件非理想性或放大器在略微不同的頻率下有意操作造成的。在這兩種情況下,失諧LC電路都會(huì)產(chǎn)生無(wú)功負(fù)載。在本文中,我們將研究當(dāng)D類(lèi)放大器的負(fù)載網(wǎng)絡(luò)具有電抗性組件時(shí),其性能是如何受到影響的。我們還將探討調(diào)諧電路輸入端寄生電容的影響。對(duì)每個(gè)非理想性的討論將以一個(gè)示例問(wèn)題結(jié)束。無(wú)功負(fù)載引起的功率損失圖1顯示了我們?cè)谶^(guò)去幾篇文章中一直在探索的互補(bǔ)電
  • 關(guān)鍵字: D類(lèi)放大器,無(wú)功負(fù)載,寄生電容  

引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容

  • 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開(kāi)關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù),這可以通過(guò)在該位置的介電材料中引入空氣間隙來(lái)實(shí)現(xiàn)。這種類(lèi)型的方式過(guò)去已經(jīng)用于后道工序 (BEOL) 中,以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中,我們將專注于前道工序 (FEOL),并演示在柵極和源極/漏極之間引入空氣間隙的SEMulator3D?模型[5]。SEMulator3D?是一個(gè)虛擬的制造軟件平臺(tái),可以在設(shè)定的半導(dǎo)體工藝流程內(nèi)模擬工藝變量。利用SE
  • 關(guān)鍵字: 空氣間隙  前道工序  寄生電容  

保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅靜電防護(hù)器件電容特性 的影響*

  • 摘? 要:本文研究了P型保護(hù)環(huán)對(duì)雙向可控硅(DDSCR)靜電防護(hù)器件寄生電容的影響。在低壓工藝下制備 了不帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR)和帶保護(hù)環(huán)的低壓雙向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在 高壓工藝下制備了不帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅(HVDDSCR)和帶保護(hù)環(huán)的高壓雙向可控硅(HVDDSCR_ GR)器件。利用B1505A功率器件分析儀測(cè)試并討論了器件的電容特性,同時(shí)利用傳輸線脈沖(TLP)測(cè)試儀 分析了它們的靜電性能。結(jié)果表明,保護(hù)環(huán)的增加對(duì)器件靜電防護(hù)能力無(wú)較大影響,但在1?
  • 關(guān)鍵字: 202206  雙向可控硅  保護(hù)環(huán)  寄生電容  傳輸線脈沖測(cè)試系統(tǒng)  

高速多通道CCD預(yù)放電路設(shè)計(jì)

  • 摘要:高速成像應(yīng)用中,CCD的輸出通道數(shù)較多,且每個(gè)通道的速度也很高。多通道輸出需要多個(gè)放大器對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大。當(dāng)放大器數(shù)量較多時(shí),電路板布局時(shí)很難使放大器靠近CCD放置。較長(zhǎng)的電路板走線產(chǎn)生的寄生電容和CCD輸
  • 關(guān)鍵字: 高速CCD  預(yù)放電路  寄生電容  高頻補(bǔ)償  

PCB Layout中直角走線會(huì)產(chǎn)生什么影響?

  • 直角走線一般是PCB布線中要求盡量避免的情況,也幾乎成為衡量布線好壞的標(biāo)準(zhǔn)之一,那么直角走線究竟會(huì)對(duì)信號(hào)傳輸產(chǎn)生多大的影響呢?從原理上說(shuō),直角走線會(huì)使傳輸線的線寬發(fā)生變化,造成阻抗的不連續(xù)。其實(shí)不光是直角走線,頓角,銳角走線都可能會(huì)造成阻抗變化的情況。
  • 關(guān)鍵字: PCBLayout  PCB  直角走線  EMI  寄生電容  

高速PCB過(guò)孔的研究

  • 在數(shù)字通信系統(tǒng)中,隨著PCB布線密 度,布線層數(shù)和傳輸信號(hào)速率的不斷增加,信號(hào)完整性的問(wèn)題變得越來(lái)越突出,已經(jīng)成為高速PCB設(shè)計(jì)者巨大的挑戰(zhàn)。而在高速PCB設(shè)計(jì)中,過(guò)孔已經(jīng)越來(lái)越普 遍使用,其本身的寄生參數(shù)極易造成信號(hào)完整性問(wèn)題,如何減少過(guò)孔本身所產(chǎn)生的信號(hào)完整性問(wèn)題,已經(jīng)成為高速PCB設(shè)計(jì)者研究的重點(diǎn)和難點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 高速PCB  過(guò)孔  寄生電容  反焊盤(pán)  信號(hào)完整性  

如何妙用二極管減少寄生電容

  •   二極管以其單向?qū)щ娞匦?,在整流開(kāi)關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用;其在反向擊穿狀態(tài)下,在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是,利用二極管的反偏壓結(jié)電容,能夠有效地減少信號(hào)線上的接入寄生電容,這里將近一步討論這個(gè)運(yùn)用?! ∩洗挝覀兎窒砹岁P(guān)于“如何妙用二極管的導(dǎo)通壓降”的知識(shí),之后有用戶要求了解更多有關(guān)電子類(lèi)器件的知識(shí),這里就來(lái)講講“如何妙用二極管減少寄生電容”?! 《O管參數(shù)—單向?qū)щ娦浴 √岬蕉O管,大家最熟悉的就是二極管的單向?qū)щ娦裕从撤睬€上如圖1所示。當(dāng)正向偏壓U=0.5V(硅管)時(shí),二極管開(kāi)始導(dǎo)
  • 關(guān)鍵字: 二極管  寄生電容  

感測(cè)的內(nèi)容是什么? 用于電容感測(cè)的有源屏蔽

  • 你在傳感器系統(tǒng)中是否遇到過(guò)電容測(cè)量值的波動(dòng)呢?對(duì)于這些測(cè)量值的波動(dòng)有幾種解釋,但是最常見(jiàn)的根本原因是外部寄生電容干擾。這種干擾,比如說(shuō)不經(jīng)意間將手靠的太近或者周?chē)鷧^(qū)域中的電磁干擾 (EMI),需要引起我們的
  • 關(guān)鍵字: 電容感測(cè)    電容測(cè)量    寄生電容  

外部寄生電容干擾消除法

  • 在進(jìn)行測(cè)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),常常需要對(duì)系統(tǒng)中的電容值進(jìn)行測(cè)量。而測(cè)量的結(jié)果常常會(huì)產(chǎn)生波動(dòng),造成不準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果。這種情況的發(fā)生通常都是由于寄生電容的干擾導(dǎo)致的。寄生電容的產(chǎn)生也可能有多種來(lái)源。比如布線的電線
  • 關(guān)鍵字: 寄生電容  電容  傳感器  電磁干擾  

使用PGIA以免開(kāi)關(guān)寄生電容燃燒

  • 可編程增益儀表放大器通常用于最大程度地?cái)U(kuò)大精密傳感器測(cè)量的動(dòng)態(tài)范圍。 多數(shù)儀表放大器使用外部增益電阻Rg設(shè)置增益,因此所需增益可通過(guò)對(duì)一組電阻進(jìn)行多路復(fù)用實(shí)現(xiàn)。 然而,通過(guò)這種方式實(shí)施系統(tǒng)前,須考慮三大
  • 關(guān)鍵字: PGIA  寄生電容    

論述如何降低肖特基PIN限幅器損耗

  • 介紹無(wú)線通信接收器前端可能會(huì)因同步或異步信號(hào)傳輸形成過(guò)載[1],在時(shí)域雙工系統(tǒng)中,交換器或循環(huán)器連接端...
  • 關(guān)鍵字: 等效電路  寄生電容  低噪聲放大器  

電容傳感器寄生電容產(chǎn)生原因及消除方法

  • 引 言  電容式傳感器具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,靈敏度高,溫度穩(wěn)定性好,適應(yīng)性強(qiáng),動(dòng)態(tài)性能好等一系列優(yōu)點(diǎn),目前在檢測(cè)技術(shù)中 ...
  • 關(guān)鍵字: 電容  傳感器  寄生電容  

電路板通孔的寄生電容分析

  • 每個(gè)通孔都有對(duì)地寄生電容。因?yàn)橥椎膶?shí)體結(jié)構(gòu)小,其特性非常像集總線路元件。我們可以在一個(gè)數(shù)量以內(nèi)估算一個(gè)通孔的寄生電容的值:其中,D2=地平面上間隙孔的直徑,IN
    D1=環(huán)繞通孔的焊盤(pán)的直徑,IN
  • 關(guān)鍵字: 電路板  通孔  寄生電容  分析    

一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)

  • 分析影響VDMOS開(kāi)關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開(kāi)關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開(kāi)關(guān)時(shí)間,提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
  • 關(guān)鍵字: VDMOS  寄生電容    
共17條 1/2 1 2 »

寄生電容介紹

寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線構(gòu)之間總是有互容,互感就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容。 寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串連,在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。在計(jì)算中我們要考慮進(jìn)去。ESL就是等效電感,ESR就是等效電阻。不管是電阻, [ 查看詳細(xì) ]

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473