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射頻開(kāi)關(guān)
射頻開(kāi)關(guān) 文章 進(jìn)入射頻開(kāi)關(guān)技術(shù)社區(qū)
英國(guó)Pickering 公司大幅提高了射頻開(kāi)關(guān)密度
- 緊湊型4x-724系列模塊為高性能射頻開(kāi)關(guān)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)可擴(kuò)展性和更短的測(cè)試周期英國(guó)Pickering公司 作為生產(chǎn)用于電子測(cè)試及驗(yàn)證領(lǐng)域的信號(hào)開(kāi)關(guān)與仿真解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商,最近推出新款尺寸為32x8的集成PXI射頻矩陣模塊 —— 單個(gè)機(jī)箱槽位可容納的矩陣密度提高了33%。新款緊湊型的PXI 40-724和PXIe 42-724系列模塊中不含擴(kuò)展結(jié)構(gòu)產(chǎn)品具有300MHz可用帶寬的高性能。新款模塊也提供帶有Y軸擴(kuò)展端口的版本,滿(mǎn)足更大規(guī)模的應(yīng)用擴(kuò)展矩陣的要求,實(shí)現(xiàn)便捷的可擴(kuò)展性。為實(shí)現(xiàn)測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)建的最大飽和度,4
- 關(guān)鍵字: Pickering 射頻開(kāi)關(guān)
豪威集團(tuán)發(fā)布超高耐壓天線調(diào)諧器和Sub-6G射頻開(kāi)關(guān)
- 隨著5G技術(shù)逐漸走向成熟,5G智能手機(jī)全面普及。專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)手機(jī)等終端設(shè)備收發(fā)無(wú)線電磁波的射頻系統(tǒng)在邁向5G新時(shí)代中面臨全新挑戰(zhàn)。 射頻系統(tǒng)分為射頻前端(RFFE,Radio Frequency Front-End)、天線、射頻收發(fā)器三部分。其中RFFE包括功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、濾波器(Filter)、天線開(kāi)關(guān)(Switch)、天線調(diào)諧器(Tuner)等。 5G大面積部署,一方面終端設(shè)備需要支持越來(lái)越多的通信頻段,MIMO技術(shù)的應(yīng)用使天線數(shù)量劇增,因而需要更多的射頻器
- 關(guān)鍵字: 豪威集團(tuán) 天線調(diào)諧器 Sub-6G 射頻開(kāi)關(guān)
基于全制式寬帶通信信號(hào)的開(kāi)關(guān)濾波器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 朱?亮 1 ,徐丹丹 2 ,武敬飛 3(1.中電科儀器儀表(安徽)有限公司,安徽蚌埠?2330102.電子信息測(cè)試技術(shù)安徽省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,安徽蚌埠?2330103.中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所,安徽蚌埠?233010) 摘?要:介紹了寬帶無(wú)線通信技術(shù)產(chǎn)業(yè)化要求,通過(guò)仿真帶通濾波器、低通濾波器,并結(jié)合放大器、射頻開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)了一種開(kāi)關(guān)濾波器,滿(mǎn)足全制式寬帶通信信號(hào)的濾波要求,并經(jīng)過(guò)印制板加工及測(cè)試,實(shí)驗(yàn)結(jié)果滿(mǎn)足設(shè)計(jì)指標(biāo)。 關(guān)鍵詞:無(wú)線通信;濾波器;射頻開(kāi)關(guān);寬帶放大器; 0 引言 隨著新一代寬帶
- 關(guān)鍵字: 202006 無(wú)線通信 濾波器 射頻開(kāi)關(guān) 寬帶放大器
射頻開(kāi)關(guān)模塊功能電路PCB板的設(shè)計(jì)
- 隨著現(xiàn)代無(wú)線通信系統(tǒng)的發(fā)展,移動(dòng)通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信等 通信系統(tǒng)對(duì)收發(fā)切換開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度、功率容量、集成性等方面有了更高的要求, 因此研究總線技術(shù),開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足軍方特殊要求的總線模塊,具有十分重要的意義,我們將利用虛擬儀器思想,將硬件電路以軟件的方式實(shí)現(xiàn),以下設(shè)計(jì)的 射頻開(kāi)關(guān)可以由計(jì)算機(jī)直接控制,可以很方便地與總線測(cè)試系統(tǒng)集成,最大限度的發(fā)揮計(jì)算機(jī)和微電子技術(shù)在當(dāng)今測(cè)試領(lǐng)域中的應(yīng)用,具有廣闊的發(fā)展前景。 1 VXI總線接口電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) VXIbus 
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用于4G/5G的下一代射頻開(kāi)關(guān)解決方案
- 無(wú)線技術(shù)發(fā)展的歷史可以總結(jié)為數(shù)據(jù)速度不斷提高的歷史。從20世紀(jì)90年代引入的、僅傳話音的模擬1G標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始,蜂窩標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)走了很長(zhǎng)的路。1G標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)初調(diào)制的是150MHz頻率的單頻段。到了2G時(shí)代,首個(gè)數(shù)字蜂窩標(biāo)準(zhǔn)引入了四
- 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān) 4G 5G
射頻開(kāi)關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)
- 射頻和微波開(kāi)關(guān)可在傳輸路徑內(nèi)高效發(fā)送信號(hào)。此類(lèi)開(kāi)關(guān)的功能可由四個(gè)基本電氣參數(shù)加以表征。 雖然多個(gè)參數(shù)與射頻和微波開(kāi)關(guān)的性能相關(guān),然而以下四個(gè)由于其相互間較強(qiáng)的相關(guān)性而被視為至關(guān)重要的參數(shù):隔離度,插入損耗,開(kāi)關(guān)時(shí)間,功率處理能力。 隔離度即電路輸入端和輸出端之間的衰減度,是衡量開(kāi)關(guān)截止有效性的指標(biāo)。插入損耗(也稱(chēng)傳輸損耗)為開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)下時(shí)損耗的總功率。由于插入損耗可直接導(dǎo)致系統(tǒng)噪聲系數(shù)的增大,因此對(duì)于設(shè)計(jì)者而言,插入損耗是最為關(guān)鍵的參數(shù)。 開(kāi)關(guān)時(shí)間是指開(kāi)關(guān)從“導(dǎo)通&
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Peregrine 半導(dǎo)體宣布真正的直流射頻開(kāi)關(guān)上市
- Peregrine半導(dǎo)體公司是射頻SOI(絕緣體上硅)技術(shù)的創(chuàng)始人,先進(jìn)的射頻解決方案的先驅(qū),現(xiàn)在宣布UltraCMOS ? PE42020上市。UltraCMOS? PE42020是業(yè)界第一個(gè)、也是唯一一個(gè)真正工作在直流(DC)即零赫茲的集成射頻開(kāi)關(guān)。這個(gè)真正的直流射頻開(kāi)關(guān)能夠通過(guò)大功率,并且在直流到8000 MHz的頻率范圍上保持出色的射頻性能和線性度。PE42020是取代問(wèn)題叢生的機(jī)械繼電器和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的可靠方案,是用于測(cè)試和測(cè)量(T&M)和自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)的理想開(kāi)關(guān)。
- 關(guān)鍵字: Peregrine PE42020 射頻開(kāi)關(guān)
一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片設(shè)計(jì)
- 本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù),在1.8V電壓供電下,該射頻開(kāi)關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測(cè)試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開(kāi)關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝,芯片總面積為0.53mm2。
- 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān) CMOS 開(kāi)關(guān)芯片 201402
射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)(
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān) 智能手機(jī) 手機(jī)信號(hào) 蜂窩
用射頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)
- 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
- 關(guān)鍵字: 射頻開(kāi)關(guān) 隔離度 插損 FET pHEMT
RFMD推出兩款新射頻開(kāi)關(guān)RF1200和RF1450
- RFMD近日宣布在美國(guó)加利福尼亞舉行的IEEERadioandWirelessconference(IEEE射頻無(wú)線會(huì)議)上展出其最新的兩款射頻開(kāi)關(guān)——RF1200和RF1450。此次IEEE射頻無(wú)線會(huì)議于元月9~11日舉行。 RF1200和RF1450利用RFMD業(yè)界領(lǐng)先的GaAs生產(chǎn)工藝生產(chǎn),并將進(jìn)一步推進(jìn)用于RFMD傳送模塊中的開(kāi)關(guān)技術(shù)的發(fā)展。這些高性能開(kāi)關(guān)有助于推出適用于多模GSM/WCDMA蜂窩手機(jī)、天線調(diào)諧器、IEEE802.11
- 關(guān)鍵字: RFMD 射頻開(kāi)關(guān)
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射頻開(kāi)關(guān)介紹
可以用在物位開(kāi)關(guān)上,射頻開(kāi)關(guān)發(fā)射一定的高頻無(wú)線電波作用于探頭上,以此分析和確定容器內(nèi)物位的變化。射頻開(kāi)關(guān)對(duì)所探材料的不同,無(wú)線電波的頻率也隨之改變。射頻開(kāi)關(guān)的探頭和容器壁構(gòu)成了一個(gè)間距固定的電容兩級(jí),探頭的絕緣材料和周?chē)目諝馓峁┙^緣介質(zhì)??諝獗黄渌橘|(zhì)所取代時(shí),探頭與容器壁所構(gòu)成的電容量將改變,這一變化將引起作用于射頻導(dǎo)納開(kāi)關(guān)探頭的無(wú)線電波的變化。這一變化被射頻開(kāi)關(guān)內(nèi)部線路檢測(cè)到,與設(shè)置值比 [ 查看詳細(xì) ]
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