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使用開(kāi)爾文連接提高 SiC FET 的開(kāi)關(guān)效率

  • 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實(shí)現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會(huì)導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹(jǐn)慎使用開(kāi)爾文連接技術(shù)以解決電感問(wèn)題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、
  • 關(guān)鍵字： Qorvo  開(kāi)爾文  FET  

基于開(kāi)爾文四線法進(jìn)行接觸電阻的測(cè)量實(shí)例

共2條 1/1 1

開(kāi)爾文介紹

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