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微電子
微電子 文章 進(jìn)入微電子技術(shù)社區(qū)
微電子工藝專有名詞(4)
- 151 RESOLUTION 解析力 1. 定義:解析力在IC制程的對(duì)準(zhǔn)及印刷(Align & Print)過(guò)程中站著相當(dāng)重要的地位,尤其演進(jìn)到VLSI后,解析力的要求就更高了。它是對(duì)光學(xué)系統(tǒng)(如對(duì)準(zhǔn)機(jī)、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等)好壞的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一,現(xiàn)今多以法國(guó)人雷萊(Rayleigh)所制定的標(biāo)準(zhǔn)遵循之。物面上兩光點(diǎn)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)頭于成像面上不會(huì)模糊到只被看成一點(diǎn)時(shí),物面上兩點(diǎn)間之最短距離。若此距離越小,則解析力越大。(通常鏡面大者,即NA大者,其解析力也越大)解析力不佳時(shí),例如對(duì)準(zhǔn)機(jī)對(duì)焦不清時(shí),就會(huì)造成C
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微電子工藝專有名詞(1)
- 1 Active Area 主動(dòng)區(qū)(工作區(qū)) 主動(dòng)晶體管(ACTIVE TRANSISTOR)被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)(ACTIVE AREA)。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的,而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟,所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥嘴(BIRD’S BEAK)之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小,以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言,大概會(huì)有0.5UM之BIRD’S BEAK存在,也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之
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微電子工藝專有名詞(2)
- 51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種,主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM),在一段時(shí)間(一般是0.5ms~5ms)后,資料會(huì)消失,故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(refresh),此為其最大缺點(diǎn),此外速度較慢也是其缺點(diǎn),而DRAM之最大好處為,其每一記憶單元(bit)指需一個(gè)Transistor(晶體管)加一個(gè)Capacitor(電容器),故最省面積,而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫、速度快之優(yōu)點(diǎn),但是密度低,每一記憶單元(bit)有兩類
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福華先進(jìn)微電子推出保護(hù)嵌入式軟件之系列芯片F(xiàn)S88x6
- 目前,有許多嵌入式系統(tǒng)中加入由專用芯片構(gòu)成的軟件保護(hù)模塊,這類芯片多為第三代EEPROM存儲(chǔ)型產(chǎn)品,缺點(diǎn)是在端口進(jìn)行數(shù)據(jù)分析就容易被破解。所以為適應(yīng)市場(chǎng)的需求,福華先進(jìn)微電子(上海)有限公司推出了一款嵌入式系統(tǒng)軟件的安全保護(hù)方案——嵌入式軟件安全衛(wèi)士,其所用芯片F(xiàn)S88x6具有應(yīng)用面廣、功耗小、安全性高等特點(diǎn),潛在市場(chǎng)巨大。 此芯片是針對(duì)當(dāng)前市場(chǎng)上, 軟件被竄改盜用的事件層出不窮情況而研發(fā)的,并已成功運(yùn)用在立體聲藍(lán)牙方案、IP網(wǎng)絡(luò)照相機(jī)、機(jī)頂盒、媒體播放器、DVR/PVR硬
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微電子學(xué)專業(yè)
- 業(yè)務(wù)培養(yǎng)目標(biāo): 業(yè)務(wù)培養(yǎng)目標(biāo):本專業(yè)培養(yǎng)掌握微電子學(xué)專業(yè)所必需的基礎(chǔ)知識(shí)、基本理論和基本實(shí)驗(yàn)技能,能在微電子學(xué)及相關(guān)領(lǐng)域從事科研、教學(xué)、科技開發(fā)、工程技術(shù)、生產(chǎn)管理與行政管理等工作的高級(jí)專門人才。 業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求:本專業(yè)學(xué)生主要學(xué)習(xí)微電子學(xué)的基本理論和基本知識(shí),受到科學(xué)實(shí)驗(yàn)與科學(xué)思維的基本訓(xùn)練,具有良好科學(xué)素養(yǎng),掌握大規(guī)模集成電路及新型半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造及測(cè)試所必需的基本理論和方法,具有電路分析、工藝分析、器件性能分析和版圖設(shè)計(jì)等的基本能力。 畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識(shí)和能力:
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奧地利微電子監(jiān)測(cè)IC具手動(dòng)重啟功能
- 奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動(dòng)重啟和監(jiān)視功能的雙電壓微處理器監(jiān)測(cè)電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備和所有雙電壓供電應(yīng)用,其功耗僅5.8μA(典型情況下),可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。 AS1913、AS1914和AS1915根據(jù)其出廠設(shè)定的極限值,能監(jiān)控1.8V到3.6V之間的初級(jí)電壓,以及0.9V到2.5V之間的次級(jí)電壓。對(duì)于AS1910、AS1911和AS1912,用戶可以通過(guò)一個(gè)外置的電阻分壓器將次級(jí)監(jiān)控電壓
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奧地利微電子監(jiān)測(cè)IC具手動(dòng)重啟功能
- 奧地利微電子公司(austriamicrosystems)日前推出帶手動(dòng)重啟和監(jiān)視功能的雙電壓微處理器監(jiān)測(cè)電路AS1910-15系列。該系列IC適用于手持式、電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備和所有雙電壓供電應(yīng)用,其功耗僅5.8μA(典型情況下),可用于-40℃到+125℃之間的溫度范圍。 AS1913、AS1914和AS1915根據(jù)其出廠設(shè)定的極限值,能監(jiān)控1.8V到3.6V之間的初級(jí)電壓,以及0.9V到2.5V之間的次級(jí)電壓。對(duì)于AS1910、AS1911和AS1912,用戶可以通過(guò)一個(gè)外置的電阻分壓器將次級(jí)監(jiān)控電壓
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火馬微電子推出EVD芯片支持中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)
- HM9001是火馬微電子(HOMAA)公司專為中國(guó)市場(chǎng)推出的新一代高密度數(shù)字激光視盤系統(tǒng)(EVD)開發(fā)設(shè)計(jì)的核心解碼芯片。EVD作為家電產(chǎn)品和計(jì)算機(jī)技術(shù)相結(jié)合的產(chǎn)物,既可以播放高清晰度(1920
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南京將投28億美元 打造微電子的航母基地
- 該產(chǎn)業(yè)園將通過(guò)政府支持、基地化運(yùn)作的方式,集中建立2到3個(gè)半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè),3到4個(gè)6英寸和8英寸的芯片廠,1到2個(gè)12英寸芯片廠上述項(xiàng)目總投資將達(dá)28億美元,全部投產(chǎn)后產(chǎn)值將達(dá)50億美元??偛邉澣笋R啟元表示,兩到三年,南京微電子產(chǎn)業(yè)園將有望成為全國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的“航母基地”。 素以“江寧織造”聞名天下的南京,正開始走上“江寧創(chuàng)造”的歷程。 6月19日,美國(guó)時(shí)代創(chuàng)新投資管理公司與南京江寧開發(fā)區(qū)簽訂了《在江寧開發(fā)區(qū)建立國(guó)家級(jí)微電子產(chǎn)業(yè)基地的框架協(xié)議》。協(xié)議主題是,由前者引導(dǎo)國(guó)際、民間資本于2006
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天津微電子工業(yè)區(qū) 每平方公里創(chuàng)值300億元
- 天津開發(fā)區(qū)微電子工業(yè)區(qū)一期1平方公里于2000年開發(fā)完畢,2003年企業(yè)全部達(dá)產(chǎn),2004年實(shí)現(xiàn)工業(yè)總產(chǎn)值315億元,出口19億美元,稅收7.13億元。這樣,在一期1平方公里土地上,園區(qū)創(chuàng)造出了300億元工業(yè)總產(chǎn)值的驕人業(yè)績(jī),園區(qū)人均 GDP 已超過(guò)4萬(wàn)美元,成為天津乃至中國(guó)北方最具生機(jī)和活力的經(jīng)濟(jì)區(qū)域。 該園區(qū)二期1.32平方公里于2002年開始投入建設(shè),目前基本轉(zhuǎn)讓完畢,截至
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1976年11月,中科院計(jì)算所研制成功1000萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī)
- 1976年11月,中國(guó)科學(xué)院計(jì)算所研制成功1000萬(wàn)次大型電子計(jì)算機(jī),所使用的電路為中國(guó)科學(xué)院109廠(現(xiàn)中科院微電子中心)研制的ECL型(發(fā)射極耦合邏輯)電路。
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微電子介紹
微電子技術(shù)是隨著集成電路,尤其是超大型規(guī)模集成電路而發(fā)展起來(lái)的一門新的技術(shù)。微電子技術(shù)包括系統(tǒng)電路設(shè)計(jì)、器件物理、工藝技術(shù)、材料制備、自動(dòng)測(cè)試以及封裝、組裝等一系列專門的技術(shù),微電子技術(shù)是微電子學(xué)中的各項(xiàng)工藝技術(shù)的總和。微電子技術(shù)是在電子電路和系統(tǒng)的超小型化和微型化過(guò)程中逐漸形成和發(fā)展起來(lái)的,第二次大戰(zhàn)中、后期,由于軍事需要對(duì)電子設(shè)備提出了不少具有根本意義的設(shè)想,并研究出一些有用的技術(shù)。1947年 [ 查看詳細(xì) ]
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