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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 接觸電阻

兩個小的電路設(shè)計失誤

  •   簡介:今天寫兩個電路設(shè)計失誤,第一個是由于電流增益不夠引起的,該電路是參考別的設(shè)計者引發(fā)的,看了之后可以了解一些知識。        第一個失誤的主要原因是,設(shè)計者錯誤估算了R1的大小。其設(shè)計的值太大,導(dǎo)致Ib太小。   這里把等效的模型轉(zhuǎn)換成如下:        以上的模型描述了輸入和輸出的模型,正式計算的分成兩個部分。        求解基極電流Ib   求解集電極電流Ic   求解放大比例   通過這個比例可得到三極管的狀態(tài),如
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基于開爾文四線法進行接觸電阻的測量實例

  • ASTM的方法B539“測量電氣連接的接觸電阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信號電平接觸電阻”是通常用于測...
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接觸電阻的多種測量方法

  • 接觸電阻就是電流流過閉合的接觸點對時的電阻。這類測量是在諸如連接器、繼電器和開關(guān)等元件上進行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個歐姆之間。根據(jù)器件的類型和應(yīng)用的情況,測量的方法可能會有所不同。AS
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半導(dǎo)體參數(shù)測試的關(guān)鍵問題之一――探針的接觸電阻

  • 關(guān)鍵字:半導(dǎo)體參數(shù) 接觸電阻通常,參數(shù)測試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測器件(DUT),然后測量該器件對于此輸入信號的響應(yīng)。這些信號的路徑為:從測試儀通過電纜束至測試頭,再通過測試頭至探針卡,然后通過探針至芯片
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半導(dǎo)體參數(shù)測試的關(guān)鍵問題之一——探針的接觸電阻

  • 通常,參數(shù)測試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測器件(DUT),然后測量該器件對于此輸入信號的響應(yīng)。這些信號的路徑為:從測...
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新型納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)

  • 納米級電氣特性
    研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點進行確定性測量。但是,必須考慮的一個額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響,因為很多材料具有壓力相關(guān)性,壓力會引起
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納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)

  • 納米級電氣特性
    研究納米級材料的電氣特性通常要綜合使用探測和顯微技術(shù)對感興趣的點進行確定性測量。但是,必須考慮的一個額外因素是施加的探針壓力對測試結(jié)果的影響,因為很多材料具有壓力相關(guān)性,壓力會引起材料
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接觸電阻介紹

  ----接觸,對導(dǎo)體件呈現(xiàn)的電阻成為接觸電阻。   一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對接觸電阻的變化很敏感。 應(yīng)該指出, 開關(guān)的接觸電阻是在開關(guān)在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。   Contact Area 接觸電阻   在電路板上是專指金手指與連接器之接觸點,當電流通過時所呈現(xiàn)的電阻之謂。為了減少金屬表面氧化 [ 查看詳細 ]

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