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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 接觸電阻

兩個(gè)小的電路設(shè)計(jì)失誤

  • 　　簡(jiǎn)介：今天寫(xiě)兩個(gè)電路設(shè)計(jì)失誤，第一個(gè)是由于電流增益不夠引起的，該電路是參考別的設(shè)計(jì)者引發(fā)的，看了之后可以了解一些知識(shí)。 　　   　　第一個(gè)失誤的主要原因是，設(shè)計(jì)者錯(cuò)誤估算了R1的大小。其設(shè)計(jì)的值太大，導(dǎo)致Ib太小。 　　這里把等效的模型轉(zhuǎn)換成如下： 　　   　　以上的模型描述了輸入和輸出的模型，正式計(jì)算的分成兩個(gè)部分。 　　   　　求解基極電流Ib 　　求解集電極電流Ic 　　求解放大比例 　　通過(guò)這個(gè)比例可得到三極管的狀態(tài)，如
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基于開(kāi)爾文四線法進(jìn)行接觸電阻的測(cè)量實(shí)例

接觸電阻的多種測(cè)量方法

  • 接觸電阻就是電流流過(guò)閉合的接觸點(diǎn)對(duì)時(shí)的電阻。這類測(cè)量是在諸如連接器、繼電器和開(kāi)關(guān)等元件上進(jìn)行的。接觸電阻一般非常小其范圍在微歐姆到幾個(gè)歐姆之間。根據(jù)器件的類型和應(yīng)用的情況，測(cè)量的方法可能會(huì)有所不同。AS
  • 關(guān)鍵字： 接觸電阻  測(cè)量方法    

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試的關(guān)鍵問(wèn)題之一――探針的接觸電阻

  • 關(guān)鍵字：半導(dǎo)體參數(shù) 接觸電阻通常，參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測(cè)器件（DUT），然后測(cè)量該器件對(duì)于此輸入信號(hào)的響應(yīng)。這些信號(hào)的路徑為：從測(cè)試儀通過(guò)電纜束至測(cè)試頭，再通過(guò)測(cè)試頭至探針卡，然后通過(guò)探針至芯片
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  參數(shù)測(cè)試  探針  接觸電阻    

半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試的關(guān)鍵問(wèn)題之一——探針的接觸電阻

  • 通常，參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)將電流或電壓輸入被測(cè)器件（DUT），然后測(cè)量該器件對(duì)于此輸入信號(hào)的響應(yīng)。這些信號(hào)的路徑為：從測(cè)...
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體參數(shù)  接觸電阻  

新型納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)

  • 納米級(jí)電氣特性
    研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起
  • 關(guān)鍵字： 納米級(jí)  接觸電阻  測(cè)量  新技術(shù)    

納米級(jí)電接觸電阻測(cè)量的新技術(shù)

  • 納米級(jí)電氣特性
    研究納米級(jí)材料的電氣特性通常要綜合使用探測(cè)和顯微技術(shù)對(duì)感興趣的點(diǎn)進(jìn)行確定性測(cè)量。但是，必須考慮的一個(gè)額外因素是施加的探針壓力對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，因?yàn)楹芏嗖牧暇哂袎毫ο嚓P(guān)性，壓力會(huì)引起材料
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接觸電阻介紹

　　----接觸，對(duì)導(dǎo)體件呈現(xiàn)的電阻成為接觸電阻。 　　一般要求接觸電阻在10-20 mohm以下。 有的開(kāi)關(guān)則要求在100-500uohm以下。有些電路對(duì)接觸電阻的變化很敏感。 應(yīng)該指出， 開(kāi)關(guān)的接觸電阻是在開(kāi)關(guān)在若干次的接觸中的所允許的接觸電阻的最大值。 　　Contact Area 接觸電阻 　　在電路板上是專指金手指與連接器之接觸點(diǎn)，當(dāng)電流通過(guò)時(shí)所呈現(xiàn)的電阻之謂。為了減少金屬表面氧化 [ 查看詳細(xì) ]

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