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GaN新技術可使散熱能力提高2倍以上

  • 近期,大阪公立大學的研究團隊成功利用金剛石為襯底,制作出了氮化鎵(GaN)晶體管,其散熱性能是使用碳化硅(SiC)襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上,有望應用于5G通信基站、氣象雷達、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領域,該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導體技術不斷發(fā)展,功率密度和散熱等問題日益凸顯,業(yè)界試圖通過新一代材料解決上述問題。據悉,金剛石具備極強的導熱性能,氮化鎵具有寬帶隙和高導電性等特性,居于上述特性,以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中,大阪公立大學的科學家們成
  • 關鍵字: GaN  散熱能力  
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散熱能力介紹

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