晶體管開(kāi)關(guān)電路 文章 進(jìn)入晶體管開(kāi)關(guān)電路技術(shù)社區(qū)

詳解電容加速電路

• 基本的晶體管開(kāi)關(guān)電路飽和開(kāi)關(guān)的問(wèn)題點(diǎn)：關(guān)斷延時(shí)時(shí)間如圖1所示，使場(chǎng)效應(yīng)晶體管開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，加給晶體管的基極電流IB：IB=IC/hFE。晶體管飽和動(dòng)作時(shí)，如圖2所示，基極電流IB，即使為0，晶體管也不能立即關(guān)斷，集電極電流在積蓄(strage)時(shí)間tstg+上升時(shí)間tr，之后才變?yōu)?(toff=tstg=tr)。圖1 基本的晶體管開(kāi)關(guān)電路圖2 為使開(kāi)關(guān)高速，減小toff很重要用于OFF晶體管的時(shí)間差。toff比用于ON的時(shí)間ton要長(zhǎng)，而且根據(jù)驅(qū)動(dòng)基極的條件變化很大，這在高速開(kāi)關(guān)電路中必需注意。BE間的電阻
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