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美開發(fā)出無(wú)缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜

• ?　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)麻省理工學(xué)院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過(guò)程開發(fā)出無(wú)缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點(diǎn)研究領(lǐng)域。相關(guān)報(bào)告發(fā)表在近期出版的《納米快報(bào)》雜志網(wǎng)絡(luò)版上。 　　半導(dǎo)體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學(xué)性質(zhì)。但想通過(guò)控制納米晶體在表面上的布置，形成具有均勻結(jié)構(gòu)的薄膜卻十分困難。典型的納米晶體薄膜一般都有能限制自身效用的裂縫，使得科研人員無(wú)法測(cè)量這些材料的基本特性。 　　此次制成的無(wú)缺陷薄膜的導(dǎo)電率約為傳統(tǒng)方法制成的有裂縫
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