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雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究

IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對(duì)VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測(cè)試設(shè)置雙脈沖測(cè)試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設(shè)置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
關(guān)鍵字：雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性

如何測(cè)量功率回路中的雜散電感

影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。功率電路寄生電感在哪里？圖1給出了半橋電路中不同位置寄生電感示意圖，主要包括三類：連接母排及功率回路中的寄生電感，IGBT模塊內(nèi)部寄生電感，直流母線電容寄生電感，分別如下圖中a、b、c所示。圖1 半橋電路中三類寄生電感位置示意圖1. 連接母排以及功率回路中的寄生電感連接母排以及功率回路中的寄生電感
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最經(jīng)典的IGBT資料大全，技術(shù)詳解，設(shè)計(jì)技巧，應(yīng)用案例

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關(guān)鍵字： IGBT 基礎(chǔ)理論設(shè)計(jì)技巧應(yīng)用案例雜散電感 DC/DC電源

如何控制IGBT逆變器設(shè)計(jì)中的雜散電感

IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計(jì) ...
關(guān)鍵字： IGBT 逆變器設(shè)計(jì) 雜散電感

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雜散電感介紹

　　目錄　　1 影響　　2 對(duì)高效IGBT逆變器設(shè)計(jì)的影響　　影響　　IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此，英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與逆變器設(shè)計(jì)應(yīng)用功率或各自額定電流水平相關(guān)的開(kāi)關(guān)速度和軟度要求是推動(dòng)這些不同型號(hào)器件優(yōu)化的主要?jiǎng)恿Α＿@些型號(hào)包括具備快速開(kāi)關(guān)特性的T4芯片、具備軟開(kāi)關(guān)特性的P4芯片和開(kāi)關(guān)速度介于T4和P4之間的E4芯片。　　對(duì)高效I [ 查看詳細(xì) ]

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