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高頻條件下IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真
- 摘要:文中對大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論,介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 仿真 電路 驅(qū)動(dòng) 條件 IGBT 高頻
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