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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 柵擊穿

IGBT及其子器件的幾種失效模式

  • 摘要：本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。 關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移  積累損傷  硅熔融 1、  引言 　　IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式，還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件，因此，IGBT也是靜電
  • 關(guān)鍵字： 柵擊穿  閾值電壓漂移  積累損傷  硅熔融  電源  
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柵擊穿介紹

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