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導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減

  • 導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu)　溝槽式MOSFET功耗銳減-更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標(biāo)。為達此一目的，半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負(fù)載及輕負(fù)載時的功率損耗。
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柵極屏蔽介紹

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