首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 柵極感應(yīng)

NAND閃存的下一個熱點(diǎn):性能

  •   利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn),NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級單元(MLC)技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長,但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長,公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能,使其比特更高和性能更快,以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降,高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。         2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
  • 關(guān)鍵字: NAND  柵極感應(yīng)  DDR  MLC  MLC  
共1條 1/1 1

柵極感應(yīng)介紹

您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條柵極感應(yīng)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對柵極感應(yīng)的理解,并與今后在此搜索柵極感應(yīng)的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473