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正交信號(hào)發(fā)生器

雙T選頻網(wǎng)絡(luò)正弦波發(fā)生器

  • 　　把雙T網(wǎng)絡(luò)并接在具有正反饋的運(yùn)算放大器的負(fù)反饋回路中，便構(gòu)成雙T選頻網(wǎng)絡(luò)正弦波發(fā)生器，其電路如圖1所示。由圖可知，兩個(gè)T型網(wǎng)絡(luò)分別由R、R、2C和C、C、R/2所構(gòu)成。利用星形電路與三角形電路互相轉(zhuǎn)換的方法，可將雙T網(wǎng)絡(luò)簡化成圖2所示的等效電路。 　　其中， 　　 　　{{分頁}} 　　雙T網(wǎng)絡(luò)傳輸函數(shù)為 　　                &nbs
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增速放緩是中國IC設(shè)計(jì)業(yè)做大的機(jī)會(huì)

  • 　　自2001年以來，中國IC設(shè)計(jì)業(yè)一直保持50%左右的平均高增長率，在日前召開的中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)2007年年會(huì)上獲悉，2007年中國IC設(shè)計(jì)業(yè)的增長率預(yù)計(jì)為14%左右。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)理事長王芹生表示，“盡管我國與世界Fabless銷售額占集成電路產(chǎn)業(yè)銷售總額均為20%，但就絕對(duì)值而言，我國的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍處于發(fā)展中國家的行列，中國大陸IC設(shè)計(jì)全行業(yè)的銷售總額小于Qualcomm一個(gè)公司的銷售額，這就是差距所在。” 　　大公司格局初步形成 　　2006年中國大陸
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MAXl25型模/數(shù)轉(zhuǎn)換器在電能質(zhì)量監(jiān)控系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 　　1 引言 　　電力系統(tǒng)電能質(zhì)量監(jiān)控的實(shí)時(shí)性要求較高，不僅含有頻率、電壓、電流、有功、無功、諧波分量、序分量等，而且有些采集的特征量頻率變化快而且復(fù)雜，如暫態(tài)突變量、高頻的故障行波等，普通的采集處理方法對(duì)多路進(jìn)行采樣計(jì)算顯得困難甚至難以實(shí)現(xiàn)。為了克服以上不足，滿足現(xiàn)代電力系統(tǒng)的要求，將先進(jìn)的數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)應(yīng)用到電力系統(tǒng)中充分發(fā)揮其快速強(qiáng)大的運(yùn)算及并行運(yùn)行處理能力，滿足電力系統(tǒng)監(jiān)控實(shí)時(shí)性和處理算法的復(fù)雜性等要求，并為不斷發(fā)展的新理論和新算法應(yīng)用于電力系統(tǒng)的實(shí)踐奠定技術(shù)基礎(chǔ)。 　　筆者以TMS320L
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文氏橋式正弦波發(fā)生器

  • 　　文氏橋式正弦波發(fā)生器亦是常用的RC低頻振蕩器,由運(yùn)放構(gòu)成的同相放大器和文氏電橋反饋網(wǎng)絡(luò)組成,基本電路如圖1所示。其中R1、C1、R2、C2正反饋網(wǎng)絡(luò)與R3、R4負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成文氏電橋。如圖所示，由運(yùn)放及R3、R4構(gòu)成的同相負(fù)反饋放大器閉環(huán)增益為 　　     (1) 　　而正反饋網(wǎng)絡(luò)反饋系數(shù)為 　　        (2) 　　經(jīng)整理得 　　    &
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移相式正弦波發(fā)生器

  • 　　移相式正弦波是由三節(jié)RC超前或滯后移相反饋網(wǎng)絡(luò)和反相放大器組成，常用于產(chǎn)生低頻正弦信號(hào)。三節(jié)RC電路含180º相移，與負(fù)饋放大器正好在該頻率上構(gòu)成正反饋，與負(fù)反饋放大器正好在該頻率上構(gòu)成正反饋，滿足振蕩的相位平衡條件，若適當(dāng)選擇穩(wěn)幅負(fù)反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋電阻RF，使放大器閉環(huán)增益大于1，即滿足振蕩的振幅條件，就能在輸出端得到正弦波振蕩信號(hào)。 　　圖1所示為由兩個(gè)運(yùn)放組成的移相式正弦波信號(hào)發(fā)生器。三節(jié)RC網(wǎng)絡(luò)由C、R及A1的閉環(huán)輸入電阻構(gòu)成，與運(yùn)放A1組成正反饋放大器。 　　可得 圖1 移
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CMOS開關(guān)電路原理

  • 　　圖1為CMOS模擬開關(guān)電路原理圖。它克服了NMOS模擬開關(guān)電路Ron雖vI增大而增大的缺點(diǎn)，擴(kuò)大輸入信號(hào)幅度的范圍；而且可以在CMOS電路基礎(chǔ)上增設(shè)輔助電路，消除NMOSFET的襯底效應(yīng)對(duì)Ron的影響。 圖1 CMOS開關(guān)電路原理 　　假定控制信號(hào)vc高電平VCH=VDD為邏輯“1”，低電平VCL=-Vss（取Vss=VDD）為邏輯“0”。T1襯底電壓VB1=-Vss，T2襯底電壓VB2=VDD。從圖可知，vc直接輸送到T1的柵極，而T2的柵極電壓是vc經(jīng)非門（T3、T4組成）倒相后的電壓。當(dāng)
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MOS集成電壓比較器

  • 　　電壓比較器是用于比較兩模擬輸入信號(hào)電壓相對(duì)大小的電路，是一種模擬輸入、數(shù)字輸出的模擬電路。采用高增益的集成運(yùn)放可用來比較兩模擬信號(hào)，而直接采用集成電壓比較器，能獲得更高的比較性能，而且使用更為方便。集成電壓比較器已成為模擬集成電路中的重要單元電路。 　　MOS電壓比較器包括差動(dòng)比較、放大及輸出鎖存等電路。電路設(shè)計(jì)時(shí)利用MOS技術(shù)易于將模擬電路和數(shù)字電路兼容于同一芯片上的特點(diǎn)，內(nèi)設(shè)時(shí)鐘振蕩器及開關(guān)電路，使放大、輸出級(jí)分時(shí)工作，即工作于斬波穩(wěn)零方式，使失調(diào)電壓Vos大大地降低，構(gòu)成自穩(wěn)零電壓比較器。
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中小IC公司尋求突破 期待百億元企業(yè)誕生

  • 　　中國的IC產(chǎn)業(yè)從一味跟蹤模仿到自主設(shè)計(jì)、自主創(chuàng)新，走過了一條艱辛坎坷的道路。在2007年“中國芯”技術(shù)與發(fā)展大會(huì)上我們看到，中國芯片已經(jīng)在移動(dòng)通信、數(shù)字電視、數(shù)字音視頻處理、中央處理器、移動(dòng)處理器、數(shù)字轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，取得了突破性的進(jìn)展。我國集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)設(shè)計(jì)的芯片產(chǎn)品愈加多元化，產(chǎn)品的檔次、技術(shù)水平大幅度提升，自主創(chuàng)新能力有所加強(qiáng)，部分產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了技術(shù)和市場(chǎng)的雙重突破。但不可否認(rèn)，在應(yīng)用引領(lǐng)持續(xù)創(chuàng)新的同時(shí)，我國的IC設(shè)計(jì)企業(yè)還很弱小，中小企業(yè)為主的產(chǎn)業(yè)格局還沒有從根本上改變，中小企業(yè)最具有活力，但同時(shí)它
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模擬開關(guān)

  • 模擬開關(guān)和多路轉(zhuǎn)換器的作用主要是用于信號(hào)的切換。目前集成模擬電子開關(guān)在小信號(hào)領(lǐng)域已成為主導(dǎo)產(chǎn)品，與以往的機(jī)械觸點(diǎn)式電子開關(guān)相比，集成電子開關(guān)有許多優(yōu)點(diǎn)，例如切換速率快、無抖動(dòng)、耗電省、體積小、工作可靠且容易控制等。但也有若干缺點(diǎn)，如導(dǎo)通電阻較大，輸入電流容量有限，動(dòng)態(tài)范圍小等。因而集成模擬開關(guān)主要使用在高速切換、要求系統(tǒng)體積小的場(chǎng)合。在較低的頻段上f<10MHz），集成模擬開關(guān)通常采用CMOS工藝制成：而在較高的頻段上（f>10MHz），則廣泛采用雙極型晶體管工藝。   如
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FPGA中的IP集成方法對(duì)比

  • 引言  從最初的計(jì)算機(jī)和電話開始，互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)一直是電子工程的關(guān)鍵構(gòu)成。在超大規(guī)模集成(VLSI)電路時(shí)代，由于MOS晶體管的驅(qū)動(dòng)特性以及片內(nèi)互聯(lián)相對(duì)較大的電容，互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)變得尤其重要。  芯片內(nèi)部用于連接功能單元的互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)對(duì)芯片性能有很大的影響，甚至是決定性的影響?？偩€雖然是一種最簡單的互聯(lián)，但從容量或者電源角度看，卻是較差的選擇，因?yàn)轵?qū)動(dòng)總線以最大速率工作時(shí)需要的電源和空間隨總線電容呈指數(shù)增大。而且，多點(diǎn)連接網(wǎng)絡(luò)也不是一種好選擇，因?yàn)榧词姑看沃恍枰淮螌?duì)話，或者會(huì)話限于最近的鄰居之間，也
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CMOS放大電路

  • 　　圖1所示為兩種不同溝道的器件NMOS FET T1和PMOS FET T2構(gòu)成的互補(bǔ)放大電路，稱為CMOS放大電路。其中，T1為放大管，T2作T1的有源負(fù)載。根據(jù)圖1(b)所示的小信號(hào)等效電路可求得CMOS放大電路的低頻電壓增益Av為                       &
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MOS模擬集成電路

  • 　　MOSFET與BJT相比,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn)：MOSFET是電壓控制器件，輸入偏流很?。?0-12A以下），輸入電阻高(1012Ω以上)；MOSFET功耗小，集成度高，抗輻射能力強(qiáng)；MOS工藝簡單，便于大規(guī)模集成。因此，自70年代以來，MOS模擬集成電路得到了迅速發(fā)展，各種功能的集成電路不斷涌現(xiàn)，其性能不斷提高。由MOSFET構(gòu)成的模擬集成電路，如運(yùn)放、電壓比較器、模擬開關(guān)、定時(shí)器、開關(guān)電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/D與D/A轉(zhuǎn)換器、脈沖調(diào)制編碼/解碼器等已廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域。尤
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硬件式數(shù)字版權(quán)管理(DRM)技術(shù)剖析

  •         前言：        內(nèi)容業(yè)者懼怕辛苦產(chǎn)制的內(nèi)容遭人盜拷、軟件業(yè)者害怕用心開發(fā)的產(chǎn)品被人破解注冊(cè)機(jī)制、企業(yè)用戶煩惱重要商務(wù)數(shù)據(jù)外泄流傳，凡此種種，就需要各種防拷防護(hù)、加密防護(hù)。        當(dāng)USB隨身碟、光盤刻錄機(jī)等復(fù)制技術(shù)愈來愈便利，同時(shí)Internet愈來愈普及，連
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AD9271在全數(shù)字超聲成像系統(tǒng)中的應(yīng)用*

  • 　　摘要： 本文介紹了AD9271在全數(shù)字超聲系統(tǒng)上的應(yīng)用。 　　關(guān)鍵詞： AD9271;FPGA;SPI 　　前言 　　隨著電子計(jì)算機(jī)、現(xiàn)代信號(hào)處理技術(shù)的不斷發(fā)展，超聲成像系統(tǒng)逐漸向全數(shù)字化方向發(fā)展。全數(shù)字超聲成像技術(shù)在接收前端將回波信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字量，通過設(shè)計(jì)專用ASIC系統(tǒng)替代傳統(tǒng)模擬處理電路，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的延遲、疊加及信號(hào)處理，使圖像更清晰、更準(zhǔn)確，分辨率更高，提高了超聲診斷設(shè)備的質(zhì)量。 　　AD9271是ADI公司針對(duì)全數(shù)字超聲系統(tǒng)推出的8通道單芯片模擬前端。其極高的集成度允許醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)師將
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模擬ic介紹

模擬IC就是處理模擬信號(hào)的進(jìn)程電路，比如，運(yùn)算放大器，穩(wěn)壓器等，其內(nèi)部的主要晶體管大部分工作在放大狀態(tài)。其輸入輸出可以用外圍電路精確設(shè)定。 電子電路中的信號(hào)分為兩種，一種是數(shù)字（邏輯）信號(hào)，只有高低電平之分（1/0），另一種是模擬信號(hào)，是一種從低到高連續(xù)變化的電壓信號(hào)。前者如現(xiàn)在的手機(jī)和基站之間發(fā)送接收的信號(hào)、從CD/DVD光盤里讀出的信號(hào)等等；后者如半導(dǎo)體收音機(jī)調(diào)幅或調(diào)頻信號(hào)經(jīng)解調(diào)后的音 [ 查看詳細(xì) ]

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