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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 欠壓保護

功率半導體IGBT熱擊穿失效的可靠性研究

  • 摘要：針對變頻空調使用緣柵雙極型晶體管（IGBT）擊穿短路故障進行分析，確認IGBT為過壓損壞失效。, 空調供電電源出現(xiàn)大的波動影響芯片供電電源質量，電壓偏低導致IGBT開通異常，不能及時欠壓保護，IGBT 長時間處于工作在放大狀態(tài)，IGBT開通損耗大熱擊穿失效。本文主要從電路設計，工作環(huán)境，模擬驗證等方 面分析研究，確認IGBT擊穿短路失效原因，從設計電路與物料選型優(yōu)化提升產品工作可靠性。關鍵詞：驅動芯片；欠壓保護；熱擊穿；共地線；電源波動；諧波絕緣柵雙極型晶體管（insulated gate b
  • 關鍵字： 202206  驅動芯片  欠壓保護  熱擊穿  共地線  電源波動  諧波  

功率因素校正電路旁路二極管的作用

  • 本文總結了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動，導致功率MOSFET驅動電壓降低、其進入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
  • 關鍵字： 功率因素校正  旁路二極管  線性區(qū)  欠壓保護  202103  MOSFET  

一種基于電源管理芯片的新型欠壓保護電路

  • A novel under-voltage protection circuit based on power management chip李宏杰，李立（安陽工學院 電子信息與電氣工程學院，河南 安陽 455000）??????? 摘要：針對傳統(tǒng)電源管理芯片中的欠壓保護電路，提出了一種新型低溫漂、低功耗、高精度的欠壓保護電路。采用新型無電壓比較器的欠壓保護電路架構，通過基準自偏置產生的無溫度系數(shù)電流與電源采樣電流進行比較，進而對芯片系
  • 關鍵字： 201904  欠壓保護  電流比較  閾值電壓  回差電壓  

欠壓保護電路的少許改進方案

  • 仔細分析一款簡單的欠壓保護電路發(fā)現(xiàn)它并不能實現(xiàn)欠壓保護功能，需要進行改進，改進后的電路比原電路使用的l1個元件數(shù)量還要少。此電路之所以能實現(xiàn)欠壓保護，是基于這樣的分析：電壓正常時’b點和a點電壓均較高，單向可...
  • 關鍵字： 欠壓保護  

欠壓保護電路圖

基于LM2596的不間斷直流電源設計方案

  • 在主電源斷電時，電路通過繼電器自動將蓄電池切入，給設備供電。在主電源正常時，以不同模式給蓄電池充電：當電壓大...
  • 關鍵字： 不間斷直流電源    過流保護    欠壓保護  
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欠壓保護介紹

當被保護線路的電源電壓低于一定數(shù)值時，保護器切斷該線路；當電源電壓恢復到正常范圍時，保護器自動接通。 [ 查看詳細 ]

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