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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 次世代內(nèi)存

異業(yè)結(jié)盟潮起 次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)

  • 　　繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(dá)(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮，內(nèi)存業(yè)者預(yù)期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內(nèi)存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內(nèi)存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內(nèi)存，將會有一番激烈競爭。 　
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次世代內(nèi)存介紹

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