泛林文章進(jìn)入泛林技術(shù)社區(qū)

通過(guò)工藝建模進(jìn)行后段制程金屬方案分析

●? ?由于阻擋層相對(duì)尺寸及電阻率增加問(wèn)題，半導(dǎo)體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線材料?！? ?在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導(dǎo)體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。相比金屬線寬度，阻擋層尺寸較難縮減（如圖1）。氮化鉭等常見的阻擋層材料電阻率較高，且側(cè)壁電子散射較多。因此，相關(guān)阻擋層尺寸的增加會(huì)導(dǎo)致更為顯著的電阻電容延遲，并可能影響電路性能、并增加功耗。圖1
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泛林集團(tuán)被Ethisphere評(píng)為 2024 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)”之一

泛林集團(tuán)連續(xù)第二年獲此年度殊榮，以表彰其通過(guò)完善的道德、合規(guī)和治理來(lái)恪守商業(yè)誠(chéng)信的承諾。泛林集團(tuán)近日宣布，公司已被Ethisphere 評(píng)為 2024 年“全球最具商業(yè)道德企業(yè)?”之一，Ethisphere是定義和推進(jìn)商業(yè)道德實(shí)踐標(biāo)準(zhǔn)的全球領(lǐng)導(dǎo)者。泛林集團(tuán)是今年全球榜單中唯一一家晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商。泛林集團(tuán)首席合規(guī)官 Pearl Del Rosario表示：“連續(xù)第二年被 Ethisphere 評(píng)為‘全球最具商業(yè)道德企業(yè)’之一，我們深感自豪，這反映了泛林集團(tuán)對(duì)商業(yè)誠(chéng)信和透明度的堅(jiān)定承諾。我們健全的道德與合
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使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率

l通過(guò)虛擬工藝開發(fā)工具加速半導(dǎo)體工藝熱點(diǎn)的識(shí)別l這些技術(shù)可以節(jié)約芯片制造的成本、提升良率設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設(shè)計(jì)，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計(jì)規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計(jì)符合制造要求，且不會(huì)導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過(guò)程中出現(xiàn)短路、斷路、材料過(guò)量或其他器件故障。在先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)，DRC規(guī)則的數(shù)量增加和復(fù)雜性提升，導(dǎo)致傳統(tǒng)的2D DRC無(wú)法
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使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究

現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝極其復(fù)雜，包含成百上千個(gè)互相影響的獨(dú)立工藝步驟。在開發(fā)這些工藝步驟時(shí)，上游和下游的工藝模塊之間常出現(xiàn)不可預(yù)期的障礙，造成開發(fā)周期延長(zhǎng)和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) (DOE) 功能來(lái)解決這一問(wèn)題。在 3D NAND 存儲(chǔ)器件的制造中，有一個(gè)關(guān)鍵工藝模塊涉及在存儲(chǔ)單元中形成金屬柵極和字線。這個(gè)工藝首先需要在基板上沉積數(shù)百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來(lái)圖形化和刻蝕存儲(chǔ)孔陣列。此時(shí)，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像
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為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量

介紹?半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯?？涛g終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響?？涛g終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計(jì)量學(xué)測(cè)量。當(dāng)出現(xiàn)特定的傳感器測(cè)量結(jié)果或閾值時(shí)，可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作。如果已無(wú)材料可供刻蝕，底層材料（甚至整個(gè)器件或晶圓）就會(huì)遭受損壞，從而極大影響良率[1]，因此可靠的終點(diǎn)
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半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)

l 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)，后段模塊處理迎來(lái)挑戰(zhàn)l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電阻電容的延遲時(shí)間隨著器件微縮至3nm及以下節(jié)點(diǎn)，后段模塊處理迎來(lái)許多新的挑戰(zhàn)，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。在3nm節(jié)點(diǎn)，最先進(jìn)的銅金屬化將被低電阻、無(wú)需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來(lái)減成圖形化這一新的選擇。這個(gè)方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。
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泛林集團(tuán)如何助力觸覺(jué)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)

●? ?視頻游戲、虛擬現(xiàn)實(shí)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)的興起正在推動(dòng)觸覺(jué)技術(shù)需求的增長(zhǎng)●? ?泛林集團(tuán)的脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)可助力下一代觸覺(jué)技術(shù)試著想象一場(chǎng)沉浸式的虛擬體驗(yàn)：在探索數(shù)字世界的時(shí)候，你的觸覺(jué)似乎與感受到的景象和聲音一樣真實(shí)。盡管一切只存在于網(wǎng)絡(luò)空間中，但你可以感受到用手接球、或者在虛擬鍵盤上敲字的感覺(jué)。這種感覺(jué)需要觸覺(jué)技術(shù)的支持，而泛林正在用創(chuàng)新助力這一技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。制造微型觸覺(jué)器件需要許多與制造集成電路相同的基礎(chǔ)工藝，包括沉積、刻蝕、清洗等，但不需要制造納米級(jí)結(jié)構(gòu)
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泛林集團(tuán)以FIRST Global機(jī)器人挑戰(zhàn)賽為舞臺(tái),培養(yǎng)未來(lái)的STEM人才

2023年度?FIRST?Global機(jī)器人挑戰(zhàn)賽于10月7-10日在新加坡舉辦。全球?qū)⒔?00個(gè)國(guó)家或地區(qū)的青少年在合作中競(jìng)爭(zhēng)，在機(jī)器人領(lǐng)域展開了一場(chǎng)充滿活力、智慧和創(chuàng)造力的較量。這是該國(guó)際機(jī)器人賽事第七次舉辦年度競(jìng)賽。這一令人振奮的賽事為期四天，由一家致力于培養(yǎng)全球年輕人科學(xué)領(lǐng)導(dǎo)力和技術(shù)創(chuàng)新的非營(yíng)利組織FIRST?Global發(fā)起和組織。全球半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的供應(yīng)商泛林集團(tuán)成為2023年挑戰(zhàn)賽的冠名贊助商。泛林集團(tuán)首席傳播官兼負(fù)責(zé)ESG的集團(tuán)副總裁Stac
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FIRST Global、冠名贊助商泛林集團(tuán)即將舉辦全球最具國(guó)際性的創(chuàng)新挑戰(zhàn)賽,旨在激發(fā)青少年對(duì) STEM 的興趣,提出應(yīng)對(duì)氣候變化的未來(lái)解決方案

2023?年度?FIRST??Global機(jī)器人挑戰(zhàn)賽將在一周后匯聚來(lái)自全球各地的數(shù)千名青少年展開機(jī)器人比拼，并合作尋找可再生能源的解決方案。這一為期四天的賽事由?FIRST?Global?創(chuàng)辦和管理，并得到了冠名贊助商泛林集團(tuán)的大力支持，旨在鼓勵(lì)下一代的創(chuàng)新者。?2023?年度??FIRST??Global機(jī)器人挑戰(zhàn)賽將于?2023?年?10&n
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晶圓的另一面:背面供電領(lǐng)域的最新發(fā)展

在我從事半導(dǎo)體設(shè)備的職業(yè)生涯之初，晶圓背面是個(gè)麻煩問(wèn)題。當(dāng)時(shí)發(fā)生了一件令我記憶深刻的事：在晶圓傳送的過(guò)程中，幾片晶圓從機(jī)器人刀片上飛了出來(lái)。收拾完殘局后，我們想到，可以在晶圓背面沉積各種薄膜，從而降低其摩擦系數(shù)。放慢晶圓傳送速度幫助我們解決了這個(gè)問(wèn)題，但我們的客戶經(jīng)理不太高興，因?yàn)樗麄儾坏貌幌蚩蛻艚忉層纱藢?dǎo)致的產(chǎn)量減少的原因。盡管初識(shí)晶圓背面的過(guò)程不太順利，但當(dāng)2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA發(fā)布時(shí)，我開始更加關(guān)注這個(gè)領(lǐng)域。Xilinx的產(chǎn)品是首批采用“堆疊硅互連技術(shù)”的異構(gòu)集成
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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使用新一代高度可調(diào)的低介電薄膜來(lái)解決串?dāng)_、隔離等制造挑戰(zhàn)

提升集成電路中的介電層性能可以在現(xiàn)在和未來(lái)的存儲(chǔ)器和邏輯電路發(fā)展中產(chǎn)生巨大的戰(zhàn)略影響。想象一下，在一個(gè)擠滿人的大房間里，每個(gè)人都有一條您需要的重要信息。他們都很樂(lè)意告訴您他們的信息，但問(wèn)題是，他們都在同一時(shí)間說(shuō)話。房間里的人越密集，就越難將想要關(guān)注的信息與周圍的雜音區(qū)分開。這就是“串?dāng)_”，維基百科將其定義為“傳輸系統(tǒng)上一個(gè)電路或通道上傳輸?shù)男盘?hào)在另一個(gè)電路或通道中產(chǎn)生不希望出現(xiàn)的影響”。如果您從事存儲(chǔ)器和邏輯器件制造，那么您面臨的情況就很像那個(gè)嘈雜的房間，因?yàn)樵谶@當(dāng)中非常鄰近的范圍
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泛林集團(tuán)虛擬工藝比賽 | 人類工程師 vs. 人工智能

近期全球最具權(quán)威性的科學(xué)期刊Nature雜志發(fā)表了近150年來(lái)最激動(dòng)人心且極具突破性的研究：《改進(jìn)半導(dǎo)體工藝開發(fā)的人機(jī)協(xié)作》，該文章由泛林集團(tuán)九名研究人員合著。此前曾擔(dān)任泛林集團(tuán)首席技術(shù)官的Rick Gottscho博士表示：“我們的研究是突破性的，使泛林集團(tuán)脫穎而出、成為在工藝工程中應(yīng)用數(shù)據(jù)科學(xué)的領(lǐng)導(dǎo)者?！?nbsp;刊登在Nature雜志的這篇文章對(duì)比了人類工程師與機(jī)器以最低目標(biāo)成本（即最少的實(shí)驗(yàn)次數(shù)）開發(fā)半導(dǎo)體工藝的情況。為此，研究人員們創(chuàng)建了對(duì)比人類和計(jì)算機(jī)算法表現(xiàn)的比賽，在比賽中雙方需要設(shè)計(jì)一個(gè)
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泛林集團(tuán)人工智能 (AI) 研究確定了顛覆性的開發(fā)方法，以加快芯片工藝的創(chuàng)新并降低成本

北京時(shí)間2023 年 4 月 24 日 – 泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 新近研究了在芯片制造的工藝開發(fā)中應(yīng)用人工智能 (AI) 的潛力。芯片制造工藝開發(fā)對(duì)于世界上每一個(gè)新的先進(jìn)半導(dǎo)體的大規(guī)模生產(chǎn)都必不可少，現(xiàn)在仍以人工驅(qū)動(dòng)。專家表示，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)朝著 2030 年年銷售 1 萬(wàn)億美元的規(guī)模發(fā)展1，最近發(fā)表在 Nature雜志上的這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)了契機(jī)，以解決該行業(yè)面臨的兩個(gè)巨大挑戰(zhàn)：降低開發(fā)成本和加快創(chuàng)新步伐，以滿足對(duì)下一代芯片日益增長(zhǎng)的需求。該研究發(fā)現(xiàn)，與今天的方法相比，“先人后機(jī)”
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異構(gòu)集成推動(dòng)面板制程設(shè)備（驅(qū)動(dòng)器）的改變

?l?? 對(duì)系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的需求將基板設(shè)計(jì)推向更小的特征（類似于扇出型面板級(jí)封裝FO-PLP）?l?? 需求趨同使得面板級(jí)制程系統(tǒng)的研發(fā)成本得以共享晶體管微縮成本的不斷提升，促使行業(yè)尋找創(chuàng)新方法，更新迭代提升芯片和系統(tǒng)的性能。正因此，異構(gòu)集成已成為封裝技術(shù)最新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。異構(gòu)集成將單獨(dú)制造的部件集成一個(gè)更高級(jí)別的組合，該組合總體上具有更強(qiáng)的功能、更好的操作特性，以及更低的成本。這種更高級(jí)別的組合稱為系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP)。異構(gòu)集成最初是在高性
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