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新型深亞微米電流靈敏放大器技術(shù)

  • 隨著便攜式電子設(shè)備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體存儲器得到了長足的發(fā)展。半導(dǎo)體存儲器的性能將直接影響到系統(tǒng)在速度等方面的性能。因此，設(shè)計能夠高速存儲的存儲器便成為當(dāng)今集成電路設(shè)計的一個研究熱點
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應(yīng)用于深亞微米存儲器的電荷泵設(shè)計

  • 因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存，且在編程時需要流過mA級以上的電流，所以 ...
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一種應(yīng)用于深亞微米存儲器的電荷泵設(shè)計

  • 因只讀存儲器的基本存儲單元只進行一次編程，編程后的數(shù)據(jù)能長時間保存，且在編程時需要流過mA級以上的電流，所以只讀存儲器編程時通常采用外加編程高壓，內(nèi)部的電荷泵。在設(shè)計此類電荷泵時，擊穿電壓和體效應(yīng)的影響
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一種全新的深亞微米IC設(shè)計方法

  • 本文分析了傳統(tǒng)IC設(shè)計流程存在的一些缺陷，并且提出了一種基于Logical Effort理論的全新IC設(shè)計方法。 眾所周知，傳統(tǒng)的IC設(shè)計流程通常以文本形式的說明開始，說明定義了芯片的功能和目標(biāo)性能。大部分芯片被劃分成便于
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新型深亞微米電流靈敏放大器技術(shù)設(shè)計

  • 隨著便攜式電子設(shè)備(PDA、射頻卡、GPS等)的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體存儲器得到了長足的發(fā)展。半導(dǎo)體存儲器的性能將直接影響到系統(tǒng)在速度等方面的性能。因此，設(shè)計能夠高速存儲的存儲器便成為當(dāng)今集成電路設(shè)計的一個研究熱點
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一種基于省時考慮的深亞微米VLSI的物理驗證方法

  • 　　前言  　　超大規(guī)模集成電路設(shè)計進入到深亞微米工藝后，以時序驅(qū)動為主的開發(fā)方法使用更加普遍，面臨的新挑戰(zhàn)也隨之而來：為了可制造性而要面臨越來越多的金屬層密度問題和天線效應(yīng)問題，同時面積減小了，但由于連線延時效應(yīng)影響，給布局布線帶來了困難，以至于不得不根據(jù)布線后時序的結(jié)果回過頭重新調(diào)整時序約束以保證后面布線后滿足時序要求。這使得整個后端的時間進度壓力加大，尤其對物理驗證而言，作為后端設(shè)計人員將設(shè)計交給代工廠家前的最后一道程序，時間被壓縮的很緊。因此有必要提出一套成熟的物理驗證方法，來加快
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