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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(四)——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
- / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個(gè)很復(fù)雜的問題,從芯片表面測量溫度,可以發(fā)現(xiàn)單個(gè)芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計(jì)一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計(jì)余量。這是一個(gè)MOSFET單管中的芯片,直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的,光標(biāo)1的位置與光標(biāo)2位置溫度
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TC-08溫度記錄儀在光學(xué)薄膜激光量熱吸收測試的應(yīng)用
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201308/05fb0220c58a1de235d1ab8a4017665f.jpg)
- 摘要:在激光系統(tǒng)中,光學(xué)薄膜的抗激光強(qiáng)度較低,這是光學(xué)薄膜研究中最重要的問題之一。測量光學(xué)薄膜對強(qiáng)激光的熱吸收情況對于光學(xué)薄膜的性能研究具有重大意義,而TC-08是一款可靠靈活的溫度記錄儀。本文介紹了利用TC-08溫度記錄儀“接觸式”地測試光學(xué)薄膜激光量熱吸收的測試,大大地?cái)U(kuò)展了TC-08在光電行業(yè)的應(yīng)用。
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