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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 漏極

漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌

  • 開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式結(jié)構(gòu)，在High Side（以下簡(jiǎn)稱HS）和Low Side（以下簡(jiǎn)稱LS）之間連接了一個(gè)開關(guān)器件，該圖是LS導(dǎo)通，電路中存在開關(guān)電流IMAIN的情形。通常，該IMAIN從VSW流入，通過(guò)線路電感LMAIN流動(dòng)。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實(shí)際的版圖設(shè)
  • 關(guān)鍵字： ROHM  漏極  源極  

上下拉電阻作用的引申―OC,OD門

  • OC(open collector)是集電極開路，必須外界上拉電阻和電源才能將開關(guān)電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關(guān)大電壓和大電流負(fù)載，所以又叫做驅(qū)動(dòng)
  • 關(guān)鍵字： OC  OD  集電極  漏極  上下拉電阻  

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過(guò)程

  • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過(guò)程。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  漏極  導(dǎo)通  開關(guān)過(guò)程    
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漏極介紹

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)， [ 查看詳細(xì) ]

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