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片上無(wú)源
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芯和半導(dǎo)體片上無(wú)源電磁場(chǎng)仿真套件成功通過(guò)三星8LPP工藝認(rèn)證
- 2021年5月14日,中國(guó)上海訊——國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,芯和半導(dǎo)體科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“芯和半導(dǎo)體”)宣布,其片上無(wú)源電磁場(chǎng)(EM)仿真套件已成功通過(guò)三星晶圓廠的8納米低功耗(8LPP)工藝技術(shù)認(rèn)證。該套件包含了快速三維電磁場(chǎng)仿真器IRIS和快速自動(dòng)PDK建模工具iModeler,此次認(rèn)證能顯著地提升IC設(shè)計(jì)公司在8LPP工藝上的設(shè)計(jì)交付速度。三星晶圓廠的8LPP工藝在其上一代FinFET先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)上,對(duì)功率、性能和面積作了進(jìn)一步的優(yōu)化。 對(duì)于移動(dòng)、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器、汽車和加密貨幣等應(yīng)用,8L
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片上無(wú)源介紹
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