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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 電子元件老化

電子元件老化——電壓基準(zhǔn)中的長期漂移（LTD）

  • 了解制造商如何表征和估計用于電子元件老化預(yù)測的電壓參考的長期漂移（LTD）。雖然電壓參考的輸出在理想情況下應(yīng)該與溫度和時間無關(guān)，但現(xiàn)實世界的電壓參考可能會受到溫度和老化的影響?？紤]到這一點，本文將討論制造商如何表征和估計電壓參考的LTD。為了更好地為本文做好準(zhǔn)備，閱讀之前的文章以了解石英晶體、電阻器和放大器的老化效應(yīng)可能很重要。電壓基準(zhǔn)的老化效應(yīng)總的來說，電壓基準(zhǔn)的輸出會隨時間而變化。通常，半導(dǎo)體材料的摻雜水平和封裝材料施加到電壓參考管芯的物理應(yīng)力會隨時間變化，導(dǎo)致電壓參考輸出中的LTD。電壓參考的LTD
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電子元件老化——電阻和運算放大器的老化效應(yīng)

  • 使用溫度計算和Arrhenius方程了解電阻器和放大器的老化行為，以了解電阻器漂移、電阻器穩(wěn)定性和運算放大器漂移。之前，我們討論了使用相對較短的測試時間來評估電子元件長期穩(wěn)定性的高溫加速老化方法。在本文中，我們將繼續(xù)討論并研究電阻器和放大器的老化行為。老化預(yù)測——老化引起的電阻漂移首先，讓我們記住電阻器的值會隨著時間而變化。在許多電路中，只需要總的精度，電阻器老化可能不是一個嚴(yán)重的問題。然而，某些精密應(yīng)用需要在指定壽命內(nèi)長期漂移低至百萬分之幾的電阻器。因此，開發(fā)具有足夠精度的老化預(yù)測模型以確保所采用的精密
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用Arrhenius方程預(yù)測電子元件老化

  • 了解如何計算老化過程的活化能，以及關(guān)于Arrhenius方程在預(yù)測晶體老化過程時的有用性的一些相互矛盾的觀點。在之前的一篇文章中，我們討論了高溫加速老化方法是一種有效的技術(shù)，它使制造商能夠使用相對較短的測試時間來確定電子元件的長期穩(wěn)定性。例如，使用這種方法，從30天的測試中獲得的數(shù)據(jù)可能足以以可接受的精度確定一年后晶體的漂移。為了應(yīng)用這項技術(shù)，我們需要知道衰老過程的活化能。在這篇文章中，我們將了解更多關(guān)于計算老化過程的活化能。我們還將探討關(guān)于Arrhenius方程/公式在應(yīng)用于老化預(yù)測問題時的有用性的一些
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評估電子元件老化和穩(wěn)定性的高溫老化方法

  • 了解由于使用石英晶體的溫度和時間，以及應(yīng)用外推方法、老化方程和Arrhenius方程，電子元件的老化和穩(wěn)定性挑戰(zhàn)。即使有固定的輸入，電子電路也不是完全穩(wěn)定的；經(jīng)常隨時間和溫度漂移。這些與理想行為的偏差會給精確測量增加相當(dāng)大的誤差。隨時間漂移，也稱為長期穩(wěn)定性，是需要長時間高精度應(yīng)用的關(guān)鍵因素。測量系統(tǒng)的初始精度誤差通?？梢酝ㄟ^初始校準(zhǔn)來消除；然而，消除長期漂移的誤差需要定期校準(zhǔn)。此外，這些校準(zhǔn)在某些工業(yè)、醫(yī)療、軍事和航空航天應(yīng)用中可能不切實際。在這篇文章中，我們將介紹評估電子元件長期穩(wěn)定性的高溫加速老化方
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電子元件老化介紹

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