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電子堆疊新技術(shù)造出多層芯片

• 據(jù)科技日?qǐng)?bào)消息，近日，美國(guó)麻省理工學(xué)院團(tuán)隊(duì)在最新一期《自然》雜志上介紹了一種創(chuàng)新的電子堆疊技術(shù)。該技術(shù)能顯著增加芯片上的晶體管數(shù)量，從而推動(dòng)人工智能（AI）硬件發(fā)展更加高效。通過(guò)這種新方法，團(tuán)隊(duì)成功制造出了多層芯片，其中高質(zhì)量半導(dǎo)體材料層交替生長(zhǎng)，直接疊加在一起。據(jù)悉，工程師們開(kāi)發(fā)了一種新的多層芯片設(shè)計(jì)方案，摒棄了對(duì)硅基板的依賴(lài)，并確保操作溫度保持在較低水平以保護(hù)底層電路。這種方法允許高性能晶體設(shè)計(jì)方案，摒棄了對(duì)硅基板的依賴(lài)，并確保操作溫度保持在較低水平以保護(hù)底層電路。這種方法允許高性能晶管、內(nèi)存以及邏輯
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