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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 電源整流

基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案

  • 因應(yīng)日趨嚴苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應(yīng)用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
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意法半導(dǎo)體（ST）推出業(yè)內(nèi)首款軟開關(guān)非對稱半橋拓撲集成控制器芯片

  • 　　中國，2008年9月24日 – 電源整流和管理芯片的世界領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款全新電源管理（PWM）控制器L6591，這是業(yè)內(nèi)首款為零壓開關(guān)非對稱半橋拓撲電源轉(zhuǎn)換器專門優(yōu)化的控制器芯片。零壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器可以讓電源的尺寸變得更小，成本更低，不論是待機還是全負荷工作，能效得到顯著提高，并降低熱量排放和功率損耗。 　　L6591用于離線電源，集成了控制軟開關(guān)半橋轉(zhuǎn)換器所需的全部功能模塊。零壓開關(guān)可消除導(dǎo)通開關(guān)損耗，使EMI輻射降到最小限度，還實現(xiàn)了高達5
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電源整流介紹

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