相變存儲(chǔ) 文章進(jìn)入相變存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)

Science發(fā)表西安交大合作研究成果：突破相變存儲(chǔ)速度極限

　　11月10日，美國(guó)Science雜志以First Release的形式發(fā)表了西安交通大學(xué)與上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所的合作論文——Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing(降低晶體成核隨機(jī)性以實(shí)現(xiàn)亞納秒數(shù)據(jù)存儲(chǔ))，該工作從接收到在線發(fā)表僅10天。　　處于數(shù)字全球化的今天，爆炸式增長(zhǎng)的信息對(duì)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)與傳輸提出了極大的挑戰(zhàn)，而且目前商用計(jì)算體
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　　日前，寧波時(shí)代全芯科技有限公司正式發(fā)布中國(guó)自主研發(fā)的第一款具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的55納米相變存儲(chǔ)技術(shù)，為中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)廠商在云計(jì)算和大數(shù)據(jù)時(shí)代開(kāi)辟了一條自主創(chuàng)“芯”之路，結(jié)束了中國(guó)芯片存儲(chǔ)技術(shù)長(zhǎng)期依靠進(jìn)口，徹底打破了中國(guó)的“無(wú)芯”時(shí)代。發(fā)布會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，寧波市政府相關(guān)部門(mén)的領(lǐng)導(dǎo)、寧波鄞州工業(yè)園區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)專家和教授以及客戶代表、媒體記者約200人見(jiàn)證了55納米相變存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)布。　　從靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)(SRAM)到動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)(DRAM)再到當(dāng)前熱門(mén)
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　　11月28日，寧波時(shí)代全芯科技有限公司發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)芯片，成為繼韓國(guó)三星、美國(guó)美光之后，世界上第三家、中國(guó)第一家擁有相變存儲(chǔ)技術(shù)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國(guó)外公司壟斷的局面。相變存儲(chǔ)是第四代存儲(chǔ)技術(shù)，比現(xiàn)有傳統(tǒng)芯片執(zhí)行速度快1000倍，耐久性高1萬(wàn)倍。　　支撐未來(lái)30年的存儲(chǔ)技術(shù) 　　以“芯時(shí)代、存世界”為主題的“2013寧波時(shí)代全芯科技產(chǎn)品發(fā)布會(huì)”11月28日在寧波舉行，寧波時(shí)代全
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　　11月28日，寧波時(shí)代全芯科技有限公司在寧波現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)芯片。這一成果的發(fā)布，使該公司成為繼韓國(guó)三星、美國(guó)美光之后，世界上第三家、中國(guó)第一家擁有相變存儲(chǔ)技術(shù)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的企業(yè)，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為這將有利于打破存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)技術(shù)被國(guó)外公司壟斷的局面。　　目前靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)和快閃存儲(chǔ)技術(shù)應(yīng)用最為廣泛。近幾年才逐漸步入商品化的最新一代存儲(chǔ)技術(shù)——相變存儲(chǔ)技術(shù)，由于是利用材料相變產(chǎn)生不同的特性作資料存儲(chǔ)，存儲(chǔ)容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于目前的高端硬盤(pán)。與現(xiàn)
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　　相變存儲(chǔ)技術(shù)看來(lái)終于要走出實(shí)驗(yàn)室，走向市場(chǎng)了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲(chǔ)芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲(chǔ)顆粒產(chǎn)品。　　相變存儲(chǔ)屬于非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級(jí)NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲(chǔ)顆粒。由于相變存儲(chǔ)技術(shù)的高寫(xiě)入速度特性，采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲(chǔ)速度。　　三星表示，多芯片封裝PRA
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　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，看它們到2020年的時(shí)候能否在單位容量成本上超越機(jī)械硬盤(pán)，結(jié)果選出了兩個(gè)最有希望的候選者：相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)、自旋極化隨機(jī)存取存儲(chǔ)(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾會(huì)有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個(gè)單元內(nèi)能保存多個(gè)比特，因此存儲(chǔ)密度和成本
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