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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 短路保護(hù)

Power Integrations推出具有快速短路保護(hù)功能且適配62mm SiC和IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)器

  • 美國加利福尼亞州圣何塞，2023年12月12日訊 – 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI）今日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強(qiáng)的保護(hù)功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2 2SP0230T2x0雙通道門極驅(qū)動(dòng)器可在不到2微秒的時(shí)間內(nèi)部署短路保護(hù)功能，保護(hù)緊湊型SiC MOSFET免受過電流的損壞。新驅(qū)動(dòng)器還具有高
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用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護(hù)

  • 當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功率應(yīng)用中實(shí)施。實(shí)現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸并因此影響功率密度，它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方，適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當(dāng)今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計(jì)算機(jī)、電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高功
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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法

  • 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法-工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測(cè) 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題。
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關(guān)于如何確定電動(dòng)車控制器“短路保護(hù)時(shí)間”的探討

  • 必須設(shè)計(jì)短路保護(hù)功能以提高控制器的可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中，許多工程師面往往忽略了短路保護(hù)時(shí)間設(shè)計(jì)的問題，因此本文就如何確定短路保護(hù)時(shí)間作一些探討，以便能夠?yàn)樵O(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)作一些參考。
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MIC5158姐成的具有短路保護(hù)功能的5V、3.3V/10A

  • MIC5158姐成的具有短路保護(hù)功能的5V、3.3V/10A電路由MIC5158與一些其他元器件構(gòu)成的5V輸入、3.3V／10A輸出，并且具有短路保護(hù)功能的線性穩(wěn)壓器電路如圖所示。該電路中若輸入電壓Ui=5V時(shí)，外加的N溝道MOSFET管就選IR244；若...
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IGBT短路保護(hù)電路原理圖

  • IGBT短路保護(hù)電路原理圖IGBT資料下載igbt工作原理
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防止LED驅(qū)動(dòng)器輸出對(duì)地短路

  • 在諸如汽車LED照明等應(yīng)用中，由于駕駛員通常遠(yuǎn)離LED，因此需要增加短路保護(hù)功能，JOHN RICE在本文中介紹了如何防止LED驅(qū)動(dòng)器輸出對(duì)地短路。非同步、升壓、電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣?jīng)常用于LED驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中。在這些應(yīng)用中，輸
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【E電路】一個(gè)經(jīng)典輸出短路保護(hù)電路

  • 　　上電：C2 兩端電壓不能突變，Q2基極電壓由VCC開始下降，下降到Q2可以導(dǎo)通(BE結(jié)壓降取0.7V)，這個(gè)時(shí)間大概是0.12mS。但是同時(shí)Q1也在起到阻止 Q2導(dǎo)通的作用，Q1導(dǎo)通的時(shí)間大概是：5.87mS也就是說 Q2在5.87mS后才會(huì)導(dǎo)通，但是同時(shí)C3在阻止Q3的導(dǎo)通，阻止時(shí)間是0.17mS。 　　Q3在上電0。17MS后導(dǎo)通，負(fù)載得電，Q3 C極電壓達(dá)到13.3左右，迫使Q2截至，由此可見Q1可以去掉。 　　短路時(shí)，Q3 C極被拉低，Q2導(dǎo)通，形成自鎖，迫使Q3截止，Q3截至后面負(fù)載沒有
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【E電路】一個(gè)經(jīng)典輸出短路保護(hù)電路

  • 　　上電：C2 兩端電壓不能突變，Q2基極電壓由VCC開始下降，下降到Q2可以導(dǎo)通(BE結(jié)壓降取0.7V)，這個(gè)時(shí)間大概是0.12mS。但是同時(shí)Q1也在起到阻止 Q2導(dǎo)通的作用，Q1導(dǎo)通的時(shí)間大概是：5.87mS也就是說 Q2在5.87mS后才會(huì)導(dǎo)通，但是同時(shí)C3在阻止Q3的導(dǎo)通，阻止時(shí)間是0.17mS。 　　Q3在上電0。17MS后導(dǎo)通，負(fù)載得電，Q3 C極電壓達(dá)到13.3左右，迫使Q2截至，由此可見Q1可以去掉。 　　短路時(shí)，Q3 C極被拉低，Q2導(dǎo)通，形成自鎖，迫使Q3截止，Q3截至后面負(fù)載沒有
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MORNSUN全新推出高效雙路表貼式1W DC-DC轉(zhuǎn)換器

  • 2012年，MORNSUN采用新技術(shù)和自主研發(fā)專利，推出新一代R2代產(chǎn)品。經(jīng)過兩年的市場(chǎng)驗(yàn)證，R2代產(chǎn)品得到了客戶的一致好評(píng)，MORNSUN產(chǎn)品的品牌認(rèn)可度也日益提高。
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短路保護(hù)、過載保護(hù)、零壓保護(hù)基礎(chǔ)認(rèn)知

  • 短路保護(hù)、過載保護(hù)、零壓保護(hù)的概念每個(gè)電氣設(shè)備都有它的額定功率，當(dāng)超過額定功率是就叫做過載，對(duì)這種狀態(tài)的...
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防止鋰離子電池組短路新方法

  • 鋰離子電池由于材料體系及制成工藝等諸多方面因素的影響，存在發(fā)生內(nèi)短路的風(fēng)險(xiǎn)。雖然鋰離子電池在出廠時(shí)...
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二代大功率IGBT短路保護(hù)和有源鉗位電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：通過分析IGBT的器件特性和短路特性，以瑞士CONCEPT公司最新推出的二代SCALE-2模塊2SC0435T作為核心部件，設(shè)計(jì)了大功率IGBT的短路保護(hù)和有源鉗位電路。
    關(guān)鍵詞：IGBT模塊；二代SCALE-2模塊；2SC0435T；短路保護(hù)
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鋰電池保護(hù)板工作原理

  • 鋰電池保護(hù)板工作原理,鋰電池保護(hù)板根據(jù)使用IC,電壓等不同而電路及參數(shù)有所不同,下面以DW01 配MOS管8205A進(jìn)行講解:鋰電池保護(hù)板其正常工作過程為:當(dāng)電芯電壓在2.5V至4.3V之間時(shí)，DW01 的第1腳、第
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晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流和短路保護(hù)

  • 盡管功率場(chǎng)效應(yīng)VDMOS和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導(dǎo)體元器件層出不窮，且在電力電子技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要位...
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