硅半導(dǎo)體文章進(jìn)入硅半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

研究人員期待硅半導(dǎo)體的替代物

　　美國(guó)的研究人員相信，他們已經(jīng)克服了發(fā)展硅半導(dǎo)體功能替代物的一個(gè)主要障礙。　　硅半導(dǎo)體在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中無(wú)處不在，但這些設(shè)備有局限性，其中包括在高溫下未能正常運(yùn)作。　　一個(gè)有前途的替代物是由鋁和氮形成氮化鋁(AlN)半導(dǎo)體，比他的硅對(duì)應(yīng)物更強(qiáng)更穩(wěn)定，可在高溫下運(yùn)行，壓電的，對(duì)可見(jiàn)光透明，可以發(fā)出可見(jiàn)光。　　生產(chǎn)AIN層的傳統(tǒng)工藝運(yùn)行溫度高達(dá)1150℃，并對(duì)層厚控制有限。這個(gè)新的技術(shù)聲稱提供了一種方法來(lái)生產(chǎn)原子尺寸厚度的高質(zhì)量的氮化鋁(AlN)層，僅用其他方法溫度的一半。　　
關(guān)鍵字：硅半導(dǎo)體晶體

　　富士通與富士通研究所瞄準(zhǔn)使用硅半導(dǎo)體的毫米波收發(fā)器用途，開發(fā)出了低噪聲信號(hào)生成電路。此次開發(fā)出該電路后，使用硅半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)車載雷達(dá)等毫米波無(wú)線通信終端的實(shí)用化便有了眉目。　　此前，用來(lái)收發(fā)毫米波信號(hào)的高頻IC一直使用化合物半導(dǎo)體(圖1)。雖然業(yè)界十分期待通過(guò)使用硅半導(dǎo)體來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)收發(fā)電路與信號(hào)處理電路等的一體化、高功能化和量產(chǎn)化，但硅半導(dǎo)體的噪聲很大，導(dǎo)致實(shí)用化滯后。　　毫米波收發(fā)用IC要集成用來(lái)生成毫米波信號(hào)的信號(hào)生成電路。以前，該信號(hào)生成電路對(duì)由毫米波振蕩器信號(hào)分頻出來(lái)的低頻比較信號(hào)和基準(zhǔn)
關(guān)鍵字：硅半導(dǎo)體無(wú)線通信

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