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富士通半導(dǎo)體明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  •   富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用,對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。   與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計(jì)劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化,從而可以通過硅晶圓直徑的增加,來實(shí)現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標(biāo),富
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藍(lán)寶石基板降價(jià)的原因及對(duì)LED產(chǎn)業(yè)的影響

  • 對(duì)LED廠商第3季業(yè)績的預(yù)估,因第2季產(chǎn)能利用率已開始提升,預(yù)估高峰期在7月~8月,而且將持續(xù)釋放,故2011年第3季營...
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硅基板介紹

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