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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 硅基氮化鎵技術(shù)

意法半導(dǎo)體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?

  • 日前，意法半導(dǎo)體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體滿足高效能、高功率的應(yīng)用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器。　　本合作計劃之重點是在200mm晶圓上開發(fā)和驗證制造先進硅基氮化鎵架構(gòu)的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預(yù)測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年復(fù)合成長率。意法半導(dǎo)體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術(shù)，預(yù)計在2019年完成可供
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硅基氮化鎵技術(shù)介紹

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