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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

碳化硅擴產、量產消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進

  • 近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
  • 關鍵字： 碳化硅  瑞薩  X-FAB  

英飛凌碳化硅晶圓處理黑科技——冷切割

  • 近兩年新能源汽車和光伏儲能市場的火熱，讓半導體供應上升到了很多公司戰(zhàn)略層面的考慮因素。特別是SiC的供應更加緊俏。最近幾年用戶對SiC的使用更有經驗，逐漸發(fā)揮出了其高效率高功率密度的優(yōu)點，正在SiC使用量增大的階段，卻面臨了整個市場的缺貨的狀態(tài)。碳化硅功率器件缺貨有很多因素，目前前道是最大的瓶頸，特別是前道的“最前端” ，SiC襯底片和外延片是目前缺貨最嚴重的材料。面對這種問題，作為功率半導體的領頭羊英飛凌又有哪些舉措呢？一方面，英飛凌與多家晶圓廠簽訂長期供貨協(xié)議推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，保
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  

目標 2027 年占領 40% 的汽車 SiC 芯片市場，安森美半導體投資 20 億美元擴建工廠

  • IT之家 5 月 18 日消息，安森美半導體表示將投資 20 億美元，用于擴展現(xiàn)有工廠，目標在全球汽車碳化硅（SiC）芯片市場中，占據(jù) 40% 的份額。安森美半導體目前在安森美半導體美國、捷克共和國和韓國都設有工廠，其中韓國工廠已經在生產 SiC 芯片了。報道中并未提及安森美半導體具體會擴建哪家工廠，安森美半導體計劃構建完整產業(yè)鏈，實現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導體預估到 2027 年占領全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年，安森美半導體的銷售
  • 關鍵字： 汽車電子  安森美  SiC  

2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

  • 2023 年 SiC 襯底市場將持續(xù)強勁增長。
  • 關鍵字： SiC  

碳化硅功率器件的應用機會及未來

賓夕法尼亞州立大學與安森美簽署碳化硅諒解備忘錄

  • 2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學與智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開展一項總額達 800 萬美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學材料研究所 (MRI) 開設安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來 10 年，安森美每年都將為 SiC3 中心提供 80 萬美元的資金。?安森美和賓夕法尼亞州立大學領導團隊慶祝簽署諒解備忘錄 (MOU)，開展總額達 800 萬美元的戰(zhàn)略合作，其中包
  • 關鍵字： 安森美  碳化硅  

SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢

  • SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現(xiàn)在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開發(fā)。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關鍵優(yōu)勢：· 
  • 關鍵字： Littelfuse  SMPD  MOSFET  

安森美與Kempower就電動汽車充電樁達成戰(zhàn)略協(xié)議

  • 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰(zhàn)略協(xié)議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術，開發(fā)電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。  安森美為Kempower 的Satellit
  • 關鍵字： 安森美  Kempower  充電樁  EliteSiC MOSFET  電動汽車快充  

意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

  • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
  • 關鍵字： 意法半導體  隔離式降壓轉換器  功率轉換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅動  

Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為

  • 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數(shù)據(jù)手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。 這些交互式數(shù)據(jù)手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數(shù)據(jù)手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
  • 關鍵字： Nexperia  交互式數(shù)據(jù)手冊  MOSFET   

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

  • 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢，因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行，同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低，需要管理的熱耗散較少，還有利于使
  • 關鍵字： 安森美  IGBT  SiC  

MOSFET電路不可不知

  • MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現(xiàn)在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數(shù)字電路都成功地實現(xiàn)了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區(qū)、三極管區(qū)和飽和區(qū)是MOSFET的三個工作區(qū)。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區(qū)。當MOSFET用作
  • 關鍵字： 雷卯  MOSFET  

SiC MOSFET的設計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

  • 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當?shù)钠胶狻?yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數(shù)。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  MOSFET  

基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產線正式通線

  • 4月24日，基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產線通線儀式在深圳市光明區(qū)舉行。此次車規(guī)級碳化硅芯片產線的成功通線，是基本半導體打造國產碳化硅功率器件IDM領先企業(yè)的一大重要戰(zhàn)略布局。據(jù)官微介紹，基本半導體車規(guī)級碳化硅芯片產線項目獲得國家工信部的產業(yè)專項支持，并連續(xù)兩年入選深圳市年度重大項目，廠區(qū)面積13000平方米，配備光刻、氧化、激活、注入、薄膜、刻蝕等專業(yè)設備，主要產品為6英寸碳化硅MOSFET晶圓等，產線達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。項目通過打造垂直整合制造模式，加快設計、制造共同迭代
  • 關鍵字： 基本半導體  車規(guī)級  碳化硅  

德國博世收購美國TSI，全球半導體領域再添并購案

  • 據(jù)國外媒體報道，德國博世集團于本周三表示，將收購美國芯片制造商TSI半導體公司的資產，以擴大其碳化硅芯片（SiC）的半導體業(yè)務。目前，博世和TSI公司已經達成協(xié)議，但并未透露此次收購的具體細節(jié)，且這項收購還需要得到監(jiān)管部門的批準。資料顯示，TSI是專用集成電路 (ASIC) 的代工廠。目前，主要開發(fā)和生產200毫米硅晶圓上的大量芯片，用于移動、電信、能源和生命科學等行業(yè)的應用。而博世在半導體領域的生產時間已超過60年，在全球范圍內投資了數(shù)十億歐元，特別是在德國羅伊特林根和德累斯頓的水廠。博世認為，此次收購
  • 關鍵字： 博世  TSI  半導體  SiC  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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