碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國(guó)產(chǎn)化再進(jìn)一步

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目，國(guó)產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國(guó)外壟斷。這標(biāo)志著今后國(guó)內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國(guó)產(chǎn)材料。
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貿(mào)澤開(kāi)售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

　　專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動(dòng)器、電信和服務(wù)器電源以及太陽(yáng)能微型逆變器等設(shè)備的功率密度。　　貿(mào)澤電子供應(yīng)的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，提高逆變器級(jí)工作效率

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級(jí)工作效率?！　∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級(jí)光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門(mén)控設(shè)備提供所需驅(qū)動(dòng)電壓。VOD3120電壓和電流使
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ST將收購(gòu)Norstel 55％股權(quán)，擴(kuò)大SiC器件供應(yīng)鏈

意法半導(dǎo)體(ST)近日與瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商N(yùn)orstel AB公司簽署協(xié)議，收購(gòu)后者55%股權(quán)。Norstel公司于2005年從Link?ping大學(xué)分拆出來(lái)，開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)150mm SiC裸晶圓和外延晶圓。ST表示，在交易完成之后，它將在全球產(chǎn)能受限的情況下控制部分SiC器件的整個(gè)供應(yīng)鏈，并為自己帶來(lái)一個(gè)重要的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國(guó)實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)？

在現(xiàn)實(shí)世界中，沒(méi)有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個(gè)概念聽(tīng)上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會(huì)用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說(shuō)，今天我們來(lái)說(shuō)一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個(gè)很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時(shí)，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)。　　Vishay
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穩(wěn)健的汽車(chē)40V 功率MOSFET提高汽車(chē)安全性

　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導(dǎo)體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導(dǎo)體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導(dǎo)體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車(chē)制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車(chē)安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。這些機(jī)電系統(tǒng)
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車(chē)規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國(guó)際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國(guó)際汽車(chē)展上，展示其全面豐富的車(chē)規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號(hào)館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車(chē)規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！　ishay亞
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第三代半導(dǎo)體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點(diǎn)？

　　目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來(lái)越高，它們?cè)谖磥?lái)的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場(chǎng)合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的作用。特別是在未來(lái)三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車(chē)、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車(chē)方面，會(huì)有非常廣闊的發(fā)展前景。　　然而，SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來(lái)。　　實(shí)際上，氧化鎵并不是很新的技術(shù)，多年前就
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北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體，推動(dòng)SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

　　11月30日，北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場(chǎng)簽署了合作協(xié)議書(shū)，并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗(yàn)室揭牌?！　　　≡撀?lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立，是北汽新能源在新能源汽車(chē)領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實(shí)力的重要舉措，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成立后，北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中，并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開(kāi)發(fā)?！　　　〗陙?lái)，以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
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意法半導(dǎo)體高效超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓?fù)?/a>

　　意法半導(dǎo)體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對(duì)提高中等功率諧振軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)?！　♂槍?duì)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應(yīng)用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率，這兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓MDmesh M6器件在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)?！　〈送?，意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的M6超結(jié)技術(shù)將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)

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重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議

　　11月4-7日，由中國(guó)電源學(xué)會(huì)與IEEE電力電子學(xué)會(huì)聯(lián)合主辦的第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導(dǎo)體作為本次大會(huì)的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！　∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會(huì)，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來(lái)自31個(gè)國(guó)家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會(huì)議。大會(huì)主席、中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事長(zhǎng)徐德鴻教授主持開(kāi)幕式并致開(kāi)幕詞，美國(guó)工程院院士、中國(guó)工程院外籍院士李澤元教授，中國(guó)工程院院
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基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國(guó)電子展

　　10月31日-11月2日，第92屆中國(guó)電子展在上海新國(guó)際博覽中心隆重舉行。基本半導(dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品?！　≈袊?guó)電子展是電子行業(yè)的年度盛會(huì)，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測(cè)試測(cè)量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會(huì)以“信息化帶動(dòng)工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級(jí)”為主題，共有40000余名買(mǎi)家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場(chǎng)電子行業(yè)年度盛會(huì)?！?/li>
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基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

　　11月5日，在第二屆國(guó)際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會(huì)議暨博覽會(huì)期間，來(lái)自中國(guó)、日本和韓國(guó)的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體，參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)?！　〕鱿瘯?huì)議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長(zhǎng)岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國(guó)亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊(duì)。與會(huì)嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”

　　近日，從深圳市人力資源和社會(huì)保障局傳來(lái)喜訊，基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評(píng)“2018年度深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)”。　　深圳市人才伯樂(lè)獎(jiǎng)是由深圳市政府設(shè)立，旨在鼓勵(lì)企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強(qiáng)企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競(jìng)爭(zhēng)力。每年市政府通過(guò)評(píng)選伯樂(lè)獎(jiǎng)對(duì)在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過(guò)程中作出貢獻(xiàn)的單位及個(gè)人給予表彰和獎(jiǎng)勵(lì)?！　』景雽?dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來(lái)自英
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