碳化硅功率器件文章進(jìn)入碳化硅功率器件技術(shù)社區(qū)

安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長(zhǎng)續(xù)航里程。極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這些功率器件提供更高的
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近日，隸屬于博世集團(tuán)的羅伯特·博世創(chuàng)業(yè)投資公司（RBVC）已完成對(duì)基本半導(dǎo)體的投資?；景雽?dǎo)體總部位于深圳，是中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅功率器件提供商之一。碳化硅是第三代半導(dǎo)體的代表材料。采用碳化硅的功率半導(dǎo)體以更具優(yōu)勢(shì)的性能正逐步取代硅基半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用在新能源汽車、充電樁、5G基建、特高壓、城際高鐵和軌道交通、大數(shù)據(jù)中心等。今后五年是第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的窗口期。博世創(chuàng)業(yè)投資公司合伙人蔣紅權(quán)博士表示：“中國(guó)是全球最大的電力電子市場(chǎng)?；景雽?dǎo)體自主研發(fā)的產(chǎn)品及本地可控的供應(yīng)鏈可滿足快速增長(zhǎng)的中國(guó)市場(chǎng)需
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2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領(lǐng)投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長(zhǎng)厚、四海新材料等機(jī)構(gòu)跟投，原股東力合資本追加投資。據(jù)透露，本輪融資基于基本半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，引入了對(duì)第三代半導(dǎo)體的研發(fā)、制造和市場(chǎng)環(huán)節(jié)具有重要價(jià)值的戰(zhàn)略投資方。所融資金將主要用于加強(qiáng)碳化硅器件的核心技術(shù)研發(fā)、重點(diǎn)市場(chǎng)拓展和制造基地建設(shè)，特別是車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊的研發(fā)和量產(chǎn)?；景雽?dǎo)體成立于2016年，核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員包括來(lái)自清華大
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11月20日，由中國(guó)科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)與深圳市人民政府共同主辦，中國(guó)科協(xié)企業(yè)創(chuàng)新服務(wù)中心、深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)等單位承辦，深圳市科技開(kāi)發(fā)交流中心、深圳中歐創(chuàng)新中心等單位執(zhí)行，基本半導(dǎo)體等單位協(xié)辦的“2020中歐科技創(chuàng)新合作發(fā)展論壇”分論壇——“2020中歐第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇”在深圳五洲賓館隆重舉行。論壇圍繞第三代半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)際合作、市場(chǎng)熱點(diǎn)和技術(shù)前沿話題，邀請(qǐng)中外半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者進(jìn)行經(jīng)驗(yàn)分享，探討中歐半導(dǎo)體合作發(fā)展新路徑。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)副主席張治平在致辭中表示，深圳市政府高度重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，推
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　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)?！　』景雽?dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來(lái)感的藍(lán)白為主色調(diào)，獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國(guó)內(nèi)外參展觀眾的眼球。　　全球獨(dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù)　　展會(huì)期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過(guò)外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
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