碳化硅mosfet 文章進(jìn)入碳化硅mosfet技術(shù)社區(qū)

東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。該系列中五款額定電壓為650V，另外五款額定電壓為1200V，十款產(chǎn)品于今日開(kāi)始批量出貨。新產(chǎn)品是東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品，其封裝支持柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)源極端使用開(kāi)爾文連接，有助于減少封裝內(nèi)源極線電感的影
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【2023 年 7 月 19 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 兩款符合汽車規(guī)格的碳化硅 (SiC) MOSFET，進(jìn)一步強(qiáng)化寬能隙 (Wide-Bandgap) 產(chǎn)品陣容。此系列 N 信道 MOSFET 產(chǎn)品可滿足市場(chǎng)對(duì) SiC 解決方案不斷增長(zhǎng)的需求，提升電動(dòng)與混合動(dòng)力汽車 (EV/HEV) 車用子系統(tǒng)的效率及功率密度，例如電池充電器、車載充電器 (OBC)、高效 DC
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今年第一季度， Littelfuse的碳化硅MOSFET產(chǎn)品在國(guó)內(nèi)某光伏系統(tǒng)項(xiàng)目投標(biāo)成功，該產(chǎn)品被成功應(yīng)用于三相太陽(yáng)能逆變器輔助電源電路。Littelfuse 的設(shè)計(jì)方案再次被市場(chǎng)認(rèn)可，取得長(zhǎng)期合作機(jī)會(huì)。 ?Littelfuse作為深耕功率控制、電路保護(hù)和傳感器產(chǎn)品與服務(wù)近百年歷史的專業(yè)供應(yīng)商，很早就關(guān)注并投入可再生能源應(yīng)用的研發(fā)，時(shí)至今日，眾多的產(chǎn)品系列如碳化硅、TVS二極管、溫度傳感器、IGBT、壓敏電阻、門驅(qū)動(dòng)等已被全球核心客戶所采用，光伏逆變器是其中一個(gè)重要的應(yīng)用。 ?從
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6月29日，“5G產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟第一次理事會(huì)”在昆明順利召開(kāi)。中國(guó)科學(xué)院院士郝躍、工業(yè)與信息化部電子信息司調(diào)研員吳國(guó)綱，以及包括基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在內(nèi)的來(lái)自全國(guó)各地20多家聯(lián)盟理事單位代表參加了此次會(huì)議。會(huì)議討論并通過(guò)了聯(lián)盟章程、下一步運(yùn)營(yíng)和發(fā)展規(guī)劃等預(yù)定議程，推選中國(guó)科學(xué)院院士郝躍先生、深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司董事總經(jīng)理曾學(xué)忠先生分別擔(dān)任首屆聯(lián)盟理事長(zhǎng)和常務(wù)理事長(zhǎng)，任命高新興集團(tuán)執(zhí)行副總裁樊曉兵先生擔(dān)任首屆聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)。同時(shí)，中國(guó)電信、中國(guó)移動(dòng)、中國(guó)聯(lián)通、清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院、南方科技大學(xué)、西
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　　新年伊始，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET，該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，其中短路耐受時(shí)間更是長(zhǎng)達(dá)6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布，標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國(guó)?！　〗陙?lái)，基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體材料的功率器件受材料性能所限，正接近物理極限，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高等特點(diǎn)，更適合制作高溫、高頻、抗輻射
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