碳納米晶體管 文章 進(jìn)入碳納米晶體管技術(shù)社區(qū)

碳納米晶體管在性能上首次超越硅晶體管

• 　　據(jù)美國威斯康星大學(xué)麥迪遜分校官網(wǎng)近日報(bào)道，該校材料學(xué)家成功研制的1英寸大小碳納米晶體管，首次在性能上超越硅晶體管和砷化鎵晶體管。這一突破是碳納米管發(fā)展的重大里程碑，將引領(lǐng)碳納米管在邏輯電路、高速無線通訊和其他半導(dǎo)體電子器件等技術(shù)領(lǐng)域大展宏圖。 　　碳納米管管壁只有一個(gè)原子厚，是最好的導(dǎo)電材料之一，因而被認(rèn)為是最有前景的下一代晶體管材料。碳納米管的超小空間使得它能夠快速改變流經(jīng)它的電流方向，因此能達(dá)到5倍于硅晶體管的速度或能耗只有硅晶體管的1/5。由于一些關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)無法攻克，碳納米晶體管的性能表現(xiàn)遠(yuǎn)
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