首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 第三代半導體材料

筑波網(wǎng)絡(luò)科技x美商泰瑞達共創(chuàng)卓越-4/17第三代半導體材料與測試技術(shù)研討會

  • 圖 左起清大材料科學工程學系?嚴大任教授兼全球長、SEMI Taiwan/ 陽明交大光電工程研究所 郭浩中教授、陽明交大機械工程系 成維華教授兼副院長、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?許深福董事長、泰瑞達?高士卿臺灣區(qū)總經(jīng)理、陽明交大電子研究所?洪瑞華教授、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?許永周項目經(jīng)理、筑波網(wǎng)絡(luò)科技?官暉舜博士/研發(fā)經(jīng)理筑波網(wǎng)絡(luò)科技與美商泰瑞達Teradyne攜手合作，于2024年4月17日成功舉辦首場「第三代半導體材料與測試技術(shù)研討會」。此次研討會邀請產(chǎn)官學講師
  • 關(guān)鍵字： 筑波  泰瑞達  第三代半導體材料  

第三代半導體材料市場分析

  • 第三代半導體行業(yè)是指基于新型材料和技術(shù)的半導體產(chǎn)品，具有更高的性能和更低的功耗，有望在多個領(lǐng)域取得突破性的應(yīng)用。在當前全球科技發(fā)展的背景下，第三代半導體行業(yè)市場具有巨大的潛力和發(fā)展空間。半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今經(jīng)歷了三個階段，第一代半導體材料以硅（Si）為代表，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料和以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等寬禁帶為代表的第三代半導體材料。相較前兩代產(chǎn)品，第三代半導體的性能優(yōu)勢非常顯著且受到業(yè)內(nèi)廣泛好評。圖片來源網(wǎng)絡(luò)以GaN、SiC為代表的第三代半導體材料最
  • 關(guān)鍵字： 202404  第三代半導體材料  

8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過中期驗收

  • 據(jù)科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會召開。會上，以黑龍江省科學院原院長郭春景研究員為組長的評審專家組認為，科友半導體圓滿完成了計劃任務(wù)書2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導書，一致同意項目通過階段驗收評審。據(jù)了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動8英寸碳化硅裝備國
  • 關(guān)鍵字： 碳化硅  科友半導體  第三代半導體材料  

第三代半導體布局提速 國產(chǎn)勢力能否“換道超車”？

  • 半導體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代，從傳統(tǒng)Si（硅）功率器件IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、MOSFET（金氧半場效晶體管），到以SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）為代表的第三代半導體。在這條賽道上，企業(yè)融資并購、廠商增資擴產(chǎn)、新玩家跑步入場、新項目不斷涌現(xiàn)。與半導體市場整體“低迷”的現(xiàn)狀不同，第三代半導體市場則煥發(fā)著別樣生機。近日，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在北京召開第一屆理事會第一次會議，標志著國創(chuàng)中心正式邁入實際運行階段。國創(chuàng)中心由科技部批復同意建設(shè)，旨在瞄準國家戰(zhàn)略需求，統(tǒng)籌
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導體材料  

半導體材料創(chuàng)新鞏固產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈，賦能智能手機、汽車領(lǐng)域

  • 現(xiàn)階段,在整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈中,針對供應(yīng)優(yōu)化襯底材料方面的角色來說,主要技術(shù)用于加工晶體管隨之產(chǎn)品直接進入到工業(yè)及終端市場......
  • 關(guān)鍵字： 第三代半導體材料  Soitec   

第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  第三代半導體材料  
共6條 1/1 1

第三代半導體材料介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條第三代半導體材料!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對第三代半導體材料的理解，并與今后在此搜索第三代半導體材料的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473