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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 米勒效應

MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應全解

  • 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應管（FET）是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場效應管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
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米勒電容、米勒效應和器件與系統(tǒng)設計對策

  • 搞電力電子的同學想必經(jīng)常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那么米勒效應是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應對呢？我們先來看IGBT開通時的典型波形：上圖中，綠色的波形是GE電壓，藍色的波形是CE電壓，紅色的波形是集電極電流IC。在開通過程中，GE的電壓從-10V開始上升，上升至閾值電壓后，IGBT導通，開始流過電流，同時CE電壓下降。CE電壓下降過程中，門極電壓不再上升，而是維持在一定的電壓平臺上，稱為米勒平臺。在這期間，CE電壓完全降至0V。隨后GE電壓繼續(xù)上
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米勒效應介紹

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