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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)

  • 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請(qǐng)觀眾造訪(fǎng)由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
  • 關(guān)鍵字： 納微半導(dǎo)體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充  

納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用

  • 小米集團(tuán)和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機(jī)。 小米董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線(xiàn)新聞發(fā)布會(huì)上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對(duì)Mi 10 PRO進(jìn)行0至100％的充電。
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納微半導(dǎo)體介紹

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